工作电压: 24V
　　钳位电压: 34V @ 1A
　　反向截止电压: 21V
　　电容值: 0.25pF（典型值）
　　响应时间: <1ns
　　功率耗散: 100W（峰值脉冲）
　　工作温度范围: -55°C 至 +125°C
　　封装类型: SOT-23

RCLAMP2421B.TNT 的核心特性包括其极低的寄生电容，这对于保持高速信号完整性至关重要。该器件的电容值仅为 0.25pF（典型值），确保了在高频应用中不会对信号传输造成干扰。此外，其双向保护结构使其能够有效地吸收正负两个方向的瞬态能量，从而为双极性信号线路提供全面保护。
　　该器件具有非常快的响应时间，小于 1 纳秒，能够在 ESD 事件发生时迅速导通，将瞬态电流从受保护的电路中分流。钳位电压在 1A 电流下为 34V，能够在不损坏下游电路的情况下有效抑制瞬态电压。
　　RCLAMP2421B.TNT 采用紧凑的 SOT-23 封装，便于在空间受限的设计中使用。其额定工作温度范围为 -55°C 至 +125°C，适用于广泛的工业和消费类应用。器件的峰值脉冲功率耗散为 100W，能够在极端条件下提供可靠的保护。

RCLAMP2421B.TNT 主要应用于需要高速信号保护的电子设备中。常见的应用场景包括 USB 2.0 和 3.0 接口、HDMI 接口、以太网端口、DisplayPort、DVI 以及其他高速数据通信接口。在这些应用中，RCLAMP2421B.TNT 可以有效防止因静电放电、雷击浪涌或开关瞬态引起的损坏。
　　由于其低电容特性，该器件也广泛用于射频（RF）前端模块、光模块、传感器接口和移动设备中的天线线路保护。在汽车电子系统中，RCLAMP2421B.TNT 可用于车载娱乐系统、摄像头接口和 CAN 总线通信线路的保护。
　　该器件还适用于工业自动化设备、测试测量仪器和通信基础设施设备，确保这些关键系统在恶劣电磁环境中依然保持稳定运行。

RCLAMP2484B.TNT, RCLAMP0502B, TPD4E001B04, ESD122