时间：2025/9/14 7:12:18
阅读：20
PSMN6R7-40MLDX是一款由Nexperia（安世半导体）推出的增强型功率MOSFET器件，属于Trench MOSFET技术家族。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和出色的热性能，适用于多种电源管理和功率转换应用。该MOSFET为N沟道结构，额定电压为40V，最大连续漏极电流可达60A，适合用于高电流负载的开关控制。其封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8兼容封装），具备良好的热管理能力和紧凑的尺寸，适用于空间受限的设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：60A @ Tc=25°C
导通电阻(Rds(on))：最大6.7mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：LFPAK56（无铅、符合RoHS标准）
功率耗散(Pd)：120W
PSMN6R7-40MLDX采用Nexperia的先进Trench MOSFET技术，具备极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高系统效率。其Rds(on)值在Vgs=10V时最大仅为6.7mΩ，确保在高电流应用中仍能保持较低的导通压降。
该器件支持高达60A的连续漏极电流，在高温环境下仍能稳定工作，得益于其优异的热设计和LFPAK56封装提供的良好散热性能。LFPAK56封装是一种双面散热的无引脚封装形式，不仅提高了功率密度，还减少了PCB布局中的寄生电感，有利于高频开关操作。
此外，PSMN6R7-40MLDX具有宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C），适用于恶劣的工业和汽车应用环境。该MOSFET还具备高雪崩能量耐受能力，增强了在突发电压尖峰情况下的可靠性。
器件的栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的12V和10V驱动电路，便于在不同控制方案中使用。其快速开关特性使其适用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统（BMS）以及负载开关等应用。
PSMN6R7-40MLDX广泛应用于需要高效率和高电流能力的功率电子系统中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业自动化设备以及汽车电子系统。
在服务器和通信电源中，该MOSFET可用于高效率的VRM（电压调节模块）和POL（负载点）转换器，以满足高电流低电压的供电需求。
在汽车应用中，PSMN6R7-40MLDX可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统以及车载DC-DC转换器等，其高温耐受能力和高可靠性特别适合严苛的车载环境。
此外，该器件也适用于高性能电源管理单元、不间断电源（UPS）系统、太阳能逆变器以及各种负载开关电路，提供可靠的高电流开关控制。
PSMN5R8-40MLDX, PSMN6R9-40YLC, PSMN4R2-40MLDX
