型号：RCJ300N20
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：30A
　　脉冲漏极电流（IDM）：120A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值35mΩ（@ VGS=10V, ID=15A）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值4200pF（@ VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：典型值850pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值65ns
　　最大功耗（PD）：200W（Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-247

RCJ300N20采用高性能沟槽栅极MOSFET技术，具备极低的导通电阻RDS(on)，这显著降低了在大电流工作状态下的导通损耗，从而提升了电源系统的整体效率。其典型的RDS(on)仅为35mΩ，在同类200V N沟道MOSFET中处于领先水平，有助于减少发热并提高功率密度。该器件的连续漏极电流可达30A，脉冲电流能力高达120A，表明其具备强大的瞬时负载响应能力，适用于需要频繁启停或突发高电流的应用场合，如电机启动、电焊机和UPS电源等。
　　该MOSFET具有优良的开关特性，输入电容和输出电容经过优化设计，使得其在高频开关应用中表现优异，开关速度较快且开关损耗较低。配合适当的驱动电路，可实现高效PWM控制，广泛用于DC-DC变换器和LLC谐振转换器中。其栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与各类控制器（如PWM IC或微处理器）直接接口，简化了驱动电路设计。
　　RCJ300N20具备良好的热稳定性和高可靠性，采用TO-247封装，具有较大的金属背板，利于安装散热器，有效传导热量，确保长时间运行时的结温控制在安全范围内。其最大功耗达200W（在壳温25℃条件下），支持高功率密度设计。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，符合工业级应用标准，能够在-55℃到+150℃的宽结温范围内稳定工作，适应严苛的工作环境。
　　在保护特性方面，RCJ300N20具备一定的抗雪崩能力，能够承受一定程度的能量冲击而不损坏，提升了在异常工况下的系统安全性。同时，其内部寄生二极管具有较短的反向恢复时间（典型65ns），减少了反向恢复过程中的能量损耗和电磁干扰，有利于提高系统EMI性能。这些综合优势使RCJ300N20成为中高压功率应用中的理想选择。

RCJ300N20广泛应用于各类中高功率电力电子系统中，包括开关模式电源（SMPS），特别是用于服务器电源、通信电源和工业电源中的主开关管或同步整流器。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于DC-DC降压或升压转换器，尤其是在高效率要求的应用中，例如新能源汽车充电模块、光伏逆变器和储能系统。在电机驱动领域，RCJ300N20可用于中小功率的直流电机或步进电机驱动电路，提供快速响应和高效控制。
　　此外，该器件也常见于不间断电源（UPS）和逆变器系统中，作为桥式电路中的开关元件，实现直流到交流的高效转换。在感应加热、电焊设备和激光电源等高能量脉冲应用中，RCJ300N20凭借其高脉冲电流能力和良好的热管理特性，能够可靠地处理瞬时大电流负载。由于其具备良好的EMI性能和稳定的开关行为，也被用于照明电源，如LED驱动电源和高频镇流器中。
　　在工业自动化控制系统中，RCJ300N20可用作固态继电器（SSR）或电磁阀驱动开关，替代传统机械继电器，提高系统寿命和响应速度。其宽温度工作范围和高可靠性也使其适用于户外或恶劣环境下的电力设备，如风力发电变流器、铁路牵引系统辅助电源等。总之，凡是需要高效、高耐压、大电流开关功能的场合，RCJ300N20都是一种性能优越的选择。

STP300N20F7
　　IRFP300N20D
　　FQP300N20