RCH895NP-682K是一款多层陶瓷电容器(MLCC),适用于高精度和高稳定性要求的电子电路。该电容器采用NP0(C0G)介质材料,具有优异的温度稳定性和低损耗特性,适用于射频(RF)电路、滤波器、振荡器以及其他对电容值变化敏感的应用。RCH895NP-682K的额定电容为6800pF(6.8nF),容差为±10%,额定电压通常为50V或100V,具体取决于制造商的规格。
电容值:6800pF (6.8nF)
容差:±10% (K)
介质材料:NP0 (C0G)
额定电压:50V或100V
温度系数:0ppm/°C ±30ppm/°C
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
封装尺寸:通常为1206或1210(英制)
绝缘电阻:≥10,000MΩ
损耗角正切(DF):≤0.15%
结构:多层陶瓷电容器(MLCC)
RCH895NP-682K的主要特性是其极高的温度稳定性,电容值在温度变化时几乎保持不变。这种电容器采用NP0(C0G)介质材料,使其成为高精度电路中的理想选择。与X7R或Y5V等其他介质材料相比,NP0/C0G具有更低的介电吸收和更低的损耗,因此适用于高频和高Q值的电路。此外,RCH895NP-682K具有优异的长期稳定性,电容值不会随时间显著变化。由于其低ESR(等效串联电阻)和低ESL(等效串联电感),该电容器能够在高频下保持良好的性能。它还具有良好的抗湿性和耐高温性能,适合用于恶劣环境下的应用。
RCH895NP-682K广泛应用于需要高稳定性和低损耗的电路中。典型应用包括射频(RF)放大器、滤波器、谐振电路、振荡器、调谐电路以及高精度模拟电路。由于其优异的频率响应和稳定性,它常用于通信设备、测试仪器、音频设备和工业控制系统。此外,该电容器也适用于定时电路、信号耦合和旁路应用,在需要稳定电容值的场合中表现出色。
VJ1206Y682KXACW1BC, C1206C682K5RACTU, GRM32ER71H683KA88L