容值：820pF
　　容差：±5%
　　额定电压：50V
　　温度系数：NP0（C0G）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　介质材料：陶瓷（NP0/C0G）
　　绝缘电阻：10,000 MΩ min.
　　最大纹波电流：根据具体应用环境而定

RCH875NP-821K 电容器的核心特性之一是其使用了 NP0（C0G）介质材料，这使其在宽温度范围内保持极高的电容稳定性，温度系数为0 ppm/°C。这种材料也具有非常低的介电吸收，适合用于高精度的滤波和振荡电路。
　　此外，该电容器的结构设计使其具备良好的机械强度和耐高温性能，能够在恶劣环境下稳定运行。其表面贴装封装形式（SMD）便于自动化生产和高密度PCB布局，同时减少了寄生电感和电容的影响。
　　这款MLCC还具有优异的高频特性，适用于射频（RF）和高速数字电路，确保信号的完整性。此外，其低损耗因子（DF）和高Q值使其成为谐振电路和耦合/去耦应用的理想选择。
　　在可靠性方面，RCH875NP-821K 通过了多项工业标准认证，确保在长期使用中保持稳定的电气性能。

RCH875NP-821K 陶瓷电容器广泛应用于需要高稳定性和低损耗的电子系统中。在通信领域，它常用于射频模块、基站设备和无线收发器中的滤波、耦合和旁路电路。在工业控制设备中，该电容器可用于高精度模拟电路、运算放大器反馈电路和传感器接口电路。
　　此外，它也适用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于电源去耦和信号处理。在汽车电子系统中，该电容器可用于车载通信模块、传感器电路和ADAS（高级驾驶辅助系统）中的高频信号处理。
　　由于其良好的高频性能和温度稳定性，RCH875NP-821K 也常用于测试和测量设备、精密仪表以及医疗电子设备中的关键电路部分。

GRM32ER71H823KA12L, C2220C823KARACTU, CL22A823KAQNNNE