时间：2025/8/6 19:49:48
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PFF9N70是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件适用于高电压和高电流的应用场景，具备良好的导通特性和较低的导通损耗，广泛应用于开关电源、马达控制、逆变器以及工业自动化设备中。PFF9N70采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合需要高可靠性和高效率的功率转换系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：9A
最大漏极-源极电压（VDS）：700V
最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.85Ω（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
最大耗散功率（PD）：125W
PFF9N70具有多项优异的电气和物理特性。首先，其700V的漏极-源极击穿电压使其适用于高电压工作环境，能够承受较高的瞬态电压冲击，从而提高系统的稳定性和可靠性。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.85Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，PFF9N70采用了先进的平面工艺技术，使其在高频开关应用中表现优异，具备良好的热稳定性。TO-220封装形式提供了良好的散热能力，能够有效降低器件工作时的温度，延长使用寿命。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载能力，能够在极端工况下保持稳定运行。
PFF9N70广泛应用于多种功率电子系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、马达驱动电路以及工业自动化控制系统。由于其高耐压和低导通电阻的特性，该MOSFET特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换设备。此外，PFF9N70还可用于照明控制、电池管理系统和电源管理模块等应用中。
STF9N70, FQP9N70, IRF9N70, 2SK2141
