类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：180A（在Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：720A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：300W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-263（表面贴装，SMD）

RCH664NP-150L 具备多项高性能特性，首先是其极低的导通电阻 Rds(on)，在 Vgs=10V 时最大仅为 1.5mΩ，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该 MOSFET 的漏源耐压为 60V，能够满足大多数中高压功率应用的需求，同时其栅源电压容限为 ±20V，确保在控制电路中具有良好的抗干扰能力。
　　该器件的连续漏极电流高达 180A，在脉冲条件下甚至可达 720A，使其适用于高电流负载的应用场景，如电动汽车电机控制器、大功率电源模块和电池管理系统（BMS）。其 300W 的最大功率耗散能力结合 TO-263 封装的优良散热性能，使器件在高负载下仍能保持稳定的热性能。
　　此外，RCH664NP-150L 采用 TO-263 表面贴装封装，便于自动化生产装配，并具有良好的机械稳定性和耐热性。该封装形式也支持高效的散热管理，适合在空间受限但需要高功率密度的 PCB 设计中使用。

RCH664NP-150L 被广泛应用于多个高功率电子系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。其典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动自行车和电动汽车的电机控制器。此外，该 MOSFET 也适用于工业自动化设备、电源供应器、UPS（不间断电源）系统以及各种高功率负载开关控制电路。
　　由于其低导通电阻和高电流处理能力，RCH664NP-150L 特别适合用于同步整流拓扑结构中的高边和低边开关，有助于提升电源转换效率并减少发热。在新能源应用中，如太阳能逆变器和储能系统中，该器件也扮演着关键的功率开关角色。

SiS150AN, IRF150, FDP150N10A, IPP150N10N3G, RCH664N