类型：N 沟道
　　漏源电压（Vds）：100V
　　漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 0.33Ω
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

RCH664NP-110L 的最大特点在于其低导通电阻设计，使其在导通状态下能够减少功率损耗，提高系统效率。其 100V 的漏源电压能力，使得该器件适用于多种中高功率电源应用。此外，该 MOSFET 具有较高的热稳定性和较强的抗冲击能力，能够在恶劣环境下保持稳定运行。TO-252 封装提供了良好的散热性能，同时便于安装和集成到 PCB 板上。
　　该器件还具备良好的开关特性，能够支持较高的开关频率，适用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等高频应用场景。RCH664NP-110L 的栅极驱动电压范围较宽，通常在 4.5V 至 20V 之间，这使得其能够兼容多种驱动电路设计，提高了设计的灵活性。此外，内置的体二极管可有效防止反向电流冲击，提高系统的可靠性。

RCH664NP-110L 主要用于各类电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电机驱动电路等。此外，该器件也广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、通信设备以及汽车电子系统中。其低导通电阻和高效率特性使其成为节能型电源设计中的理想选择。在电动车、LED 照明和电池管理系统中也有广泛的应用前景。

RCH664NP-110L 可以用 RCH6645N、R6004KNX、FQP4N60 等型号作为替代。这些型号在电气参数和封装形式上与 RCH664NP-110L 相似，适用于大多数相同的应用场景。在选择替代型号时，应根据具体应用需求对导通电阻、最大工作电压和电流等关键参数进行核对，以确保系统的稳定性和兼容性。