时间：2025/9/2 2:25:46
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HY5PS121621FP-E3 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高速低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器（LPDDR2）芯片。该芯片设计用于移动设备和便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。HY5PS121621FP-E3 的存储容量为256MB，组织结构为x16，电压为1.2V/1.8V双电源供电，适用于低功耗应用场景。
容量：256MB
组织结构：x16
类型：LPDDR2 SDRAM
工作电压：1.2V/1.8V
时钟频率：最高可达200MHz
数据速率：400Mbps
封装形式：FBGA
引脚数量：90
工作温度范围：-40°C至+85°C
HY5PS121621FP-E3 是一款专为低功耗优化设计的LPDDR2内存芯片。它支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式和自刷新模式，以延长移动设备的电池寿命。该芯片采用双电源供电系统，核心电压为1.2V，I/O电压为1.8V，以在保证性能的同时降低能耗。其支持400Mbps的数据速率，适用于需要较高带宽的应用场景。
HY5PS121621FP-E3 采用FBGA封装技术，具有良好的热性能和机械稳定性，能够在较高的工作温度下稳定运行。此外，该芯片支持突发长度（Burst Length）可编程，允许用户根据应用需求调整数据传输模式。其具备自动预充电功能，在读写操作完成后自动进行预充电，提高内存访问效率。
这款LPDDR2芯片还支持温度补偿自刷新（TCSR）功能，可根据环境温度变化自动调整刷新率，从而减少不必要的功耗。同时，它支持多种数据掩码功能（如写数据掩码和读数据掩码），以提高数据操作的灵活性和可靠性。HY5PS121621FP-E3 还具备良好的兼容性，能够与多种处理器和控制器配合使用。
HY5PS121621FP-E3 主要应用于对功耗敏感的移动设备，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备和嵌入式系统。此外，该芯片也可用于工业控制、车载电子系统和便携式医疗设备等对低功耗和高稳定性有要求的场景。
MT48LC16M16A2B4-6A, K4P51324QC-FGC12
