RCD100N19 时间：2025/12/25 14:08:26 阅读：12

RCD100N19是一款高性能的碳化硅（SiC）肖特基二极管，由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产。该器件结合了碳化硅材料的优异特性与先进的封装技术，专为高效率、高频率和高温工作环境设计。RCD100N19属于190V额定电压系列，最大平均正向电流可达100A，适用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、不间断电源（UPS）以及各类高功率开关电源中。由于其无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和极低的正向导通压降，该器件能够显著降低开关损耗，提高系统整体能效。此外，RCD100N19采用TO-247AC封装，具备良好的热传导性能和机械稳定性，适合在恶劣环境下长期运行。该产品符合RoHS环保标准，并通过了多项可靠性测试，确保在严苛应用中的稳定性和耐用性。

参数

类型：碳化硅肖特基二极管
　　配置：单芯片
　　击穿电压（VRRM）：190V
　　最大平均正向电流（IF(AV)）：100A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：1280A
　　正向电压降（VF）：典型值1.45V @ 50A, 25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：约0.31°C/W
　　封装形式：TO-247AC
　　反向漏电流（IR）：最大50μA @ 190V, 25°C；最大5mA @ 190V, 150°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值≈0ns（无反向恢复）
　　电容（CJ）：典型值约160pF @ 25V

特性

RCD100N19作为一款基于碳化硅材料的肖特基二极管，具有卓越的电气和热性能，尤其在高频和高功率应用场景中表现出色。其最显著的特性之一是几乎为零的反向恢复电荷（Qrr），这意味着在开关过程中不会产生额外的反向恢复电流和相关的电磁干扰（EMI），从而大幅降低开关损耗，提升系统的转换效率。这一特性使其非常适合用于硬开关拓扑结构如PFC（功率因数校正）、LLC谐振变换器和DC-DC转换器中。
　　该器件的正向导通压降较低，在50A电流下仅为1.45V左右，相较于传统硅基快恢复二极管或PIN二极管，功耗更低，有助于减少散热设计负担。同时，其可在高达+175°C的结温下持续工作，展现出优异的高温稳定性，这使得它能在高温环境中保持可靠运行，例如车载充电机或工业电机驱动等场合。
　　RCD100N19还具备出色的抗浪涌能力，可承受高达1280A的非重复峰值电流，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其TO-247AC封装不仅提供了优良的热传导路径，便于安装散热器，而且引脚布局优化，支持快速焊接与自动化装配。此外，该器件对dv/dt应力具有较强的耐受性，不易发生误触发或雪崩击穿，提高了整体系统的安全性与可靠性。综合来看，RCD100N19是一款面向下一代高效能电力电子系统的理想选择。

应用

RCD100N19广泛应用于需要高效率、高频率和高可靠性的电力电子系统中。典型的应用领域包括工业级开关模式电源（SMPS），特别是在大功率服务器电源和通信电源中用作输出整流或续流二极管；在太阳能光伏逆变器中，常被用于直流侧防反接保护和MPPT电路中的能量回馈路径，利用其低损耗特性提升发电效率；在电动汽车（EV）和插电式混合动力汽车（PHEV）的车载充电机（OBC）中，RCD100N19可用于PFC升压级的升压二极管，有效降低系统温升并提高功率密度。
　　此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）系统中的逆变输出整流和电池充放电管理模块，因其快速响应能力和高温稳定性，能够在市电中断时保障负载持续供电。在工业电机驱动和变频器中，RCD100N19可作为制动单元的能量释放二极管，将再生能量回馈至母线电容或耗能电阻，防止过压损坏IGBT模块。同时，由于其低EMI特性，也有助于简化滤波电路设计，减小系统体积。在铁路牵引系统、储能逆变器和高压直流配电系统中，RCD100N19同样展现出强大的适应能力，是实现绿色能源转换和节能减排的关键元件之一。