IXFQ60N25X3 时间：2025/8/6 7:31:16 阅读：14

IXFQ60N25X3 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效功率转换和大电流处理能力的电子电路中。该器件采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻、高击穿电压以及优异的热稳定性。IXFQ60N25X3 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和工业自动化等高功率应用。

参数

制造商: IXYS
　　产品类型: MOSFET - 功率，N 沟道
　　技术: 平面
　　漏源电压（Vds）: 250 V
　　连续漏极电流（Id）: 60 A
　　导通电阻（Rds(on)）: 0.04 欧姆
　　栅极电荷（Qg）: 180 nC
　　封装类型: TO-247
　　工作温度范围: -55°C 至 150°C
　　最大功率耗散: 300 W

特性

IXFQ60N25X3 具有多个高性能特性，使其适用于高功率电子系统设计。首先，其高击穿电压（250 V）确保了在高压应用中的稳定运行，同时其低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗，提高整体效率。此外，该器件具有较大的连续漏极电流能力（60 A），适用于高负载环境。
　　该 MOSFET 的封装形式为 TO-247，具备良好的热传导性能，能够有效散热，确保在高功率条件下的可靠性。其栅极电荷（Qg）为 180 nC，在高速开关应用中表现出色，适用于高频转换器和逆变器设计。
　　IXFQ60N25X3 还具备良好的热稳定性和短路耐受能力，有助于防止在极端工作条件下发生损坏。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平控制，适用于多种驱动电路配置。此外，其封装设计兼容行业标准，便于在各种 PCB 布局中使用。

应用

IXFQ60N25X3 广泛应用于多个高功率电子系统中，包括工业电源、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动、电池管理系统和太阳能逆变器等。由于其高耐压、低导通电阻和高电流能力，该器件在需要高效能功率转换的场合中表现出色。例如，在 DC-DC 升压或降压转换器中，IXFQ60N25X3 可用于提高转换效率并减少热量产生。在电机控制应用中，它可用于驱动高功率直流电机，并实现快速开关控制。此外，该 MOSFET 也常用于高频开关电源和功率因数校正（PFC）电路中。