RCB4991F-T1 时间：2025/12/28 15:19:07 阅读：14

RCB4991F-T1 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备以及电源管理系统。RCB4991F-T1 采用小型封装形式，具有低导通电阻（Rds(on)）和良好的热性能，适用于便携式电子设备和其他对空间和效率要求较高的应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值 49mΩ（在 Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

RCB4991F-T1 MOSFET 具有多个关键特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。这对于需要长时间运行的电池供电设备尤为重要。
　　其次，该器件支持高达 ±20V 的栅源电压（Vgs），具有良好的抗电压波动能力，提高了在复杂电源环境下的稳定性与可靠性。此外，其 30V 的漏源电压（Vds）额定值适用于多种中低压电源转换应用，包括同步整流、负载开关和马达控制等。
　　RCB4991F-T1 采用 SOT-23 小型封装，节省电路板空间，非常适合用于便携式电子产品、手持设备和小型电源模块。尽管封装小巧，该器件仍具备良好的热管理性能，能够在较高电流下稳定工作。
　　该 MOSFET 的最大连续漏极电流为 5A，足以满足多数中等功率应用的需求。同时，其功耗限制为 200mW，确保在紧凑设计中不会产生过多热量。工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于工业级和消费级应用环境。
　　综上所述，RCB4991F-T1 凭借其低导通电阻、良好的热性能、紧凑的封装和宽泛的工作温度范围，成为电源管理、DC-DC 转换和负载开关等应用的理想选择。

应用

RCB4991F-T1 主要应用于各类电源管理系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达控制器以及电池管理系统。此外，该器件适用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、穿戴设备）、工业控制系统、通信设备以及小型电源模块的设计中。由于其封装小巧、性能稳定，RCB4991F-T1 也广泛用于需要高效能和空间节省的消费类电子产品中。