时间：2025/12/27 4:01:17
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RC28F320J3D75E是一款由英特尔（Intel）生产的并行接口闪存存储器芯片，属于Intel StrataFlash Embedded Memory系列。该器件采用先进的多级单元（MLC）技术，能够在每个存储单元中存储多位数据，从而在不显著增加芯片物理尺寸的情况下提高存储密度。这款芯片主要用于需要高可靠性、高性能和较大存储容量的嵌入式系统应用。其封装形式通常为48引脚TSOP（Thin Small Outline Package）或48球BGA（Ball Grid Array），适合在空间受限但对性能有要求的应用场景中使用。该器件工作电压为3.0V至3.6V，符合低功耗设计趋势，适用于便携式设备和工业控制系统等对能耗敏感的环境。此外，RC28F320J3D75E具备良好的温度适应性，可在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内稳定运行，确保在恶劣环境下的长期可靠性。作为一款非易失性存储器，它在断电后仍能保持数据完整性，适合用于固件存储、数据日志记录以及代码执行等关键任务场景。
型号：RC28F320J3D75E
制造商：Intel
存储类型：NOR Flash
存储容量：32 Mbit（4MB）
组织结构：16位数据宽度（x16）
接口类型：并行接口
工作电压：3.0V ~ 3.6V
读取访问时间：75ns
封装形式：48-pin TSOP Type I
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
编程/擦除电压：内部电荷泵提供
擦除方式：扇区擦除、块擦除、整片擦除
写保护功能：硬件WP#引脚支持
总线宽度：16位
待机电流：典型值为100μA
读取电流：典型值为30mA
RC28F320J3D75E具备多项先进特性，使其成为嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。首先，该芯片采用了Intel的StrataFlash技术，通过多层存储单元设计，在保证可靠性的前提下提升了存储密度，相较于传统单层单元（SLC）闪存在成本和容量方面更具优势。其次，其75纳秒的快速读取访问时间确保了高效的数据检索能力，能够满足实时操作系统（RTOS）中对快速启动和就地执行（XIP, eXecute-In-Place）的需求，允许处理器直接从闪存中运行代码而无需将程序加载到RAM中，从而节省系统资源并提升响应速度。
该器件支持多种擦除模式，包括扇区擦除（最小4KB）、块擦除和整片擦除，用户可根据实际需求灵活选择，有效延长器件寿命并优化写入效率。内置的电荷泵电路可自动生成编程和擦除所需的高压，无需外部高压电源，简化了系统电源设计。此外，芯片配备硬件写保护引脚（WP#），可在上电或系统异常时防止意外写入或擦除操作，增强了数据安全性。
RC28F320J3D75E还集成了状态轮询机制和软件保护功能，支持通过特定指令序列进行解锁和编程操作，防止误操作导致的数据损坏。其CMOS兼容输入输出电平便于与主流微控制器和DSP无缝连接。在可靠性方面，该器件经过严格测试，支持至少10万次的编程/擦除周期，并具备长达20年的数据保持能力，适用于长期部署且维护困难的应用场合。同时，其工业级温度范围和高抗干扰能力使其广泛应用于工业控制、网络设备、医疗仪器和车载电子等领域。
RC28F320J3D75E广泛应用于各类需要高可靠性嵌入式闪存的系统中。在通信设备领域，常用于路由器、交换机和基站模块中存储固件和配置数据，支持快速启动和远程固件升级（FOTA）。在工业自动化控制系统中，该芯片用于保存PLC程序、HMI界面数据及设备参数，其宽温特性和抗干扰能力确保在复杂电磁环境中稳定运行。消费类电子产品如高端打印机、智能家电和多媒体终端也采用此芯片来实现操作系统存储和应用代码管理。
此外，在医疗设备中，RC28F320J3D75E用于存储关键的操作系统、校准数据和患者信息日志，其数据持久性和安全性满足医疗行业对可靠性的严苛要求。汽车电子系统中，该器件可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘和信息娱乐系统，支持在极端温度条件下长期稳定工作。由于其支持XIP功能，特别适合用于无外部RAM或RAM资源有限的嵌入式架构，使得主控MCU可以直接从闪存执行代码，降低系统整体成本和复杂度。同时，其并行接口提供了较高的数据吞吐率，优于串行SPI Flash，在对读取性能有较高要求的应用中具有明显优势。
MT28EW32ADA-75:DTR
