制造商：Intel
　　系列：StrataFlash? C3
　　存储容量：32 Mbit
　　存储架构：并行 NOR Flash
　　电压范围：2.7 V ~ 3.6 V
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：48-TSOP
　　接口类型：并行（x16 或 x8 可配置）
　　访问时间：70ns
　　组织结构：2048 块 × 16 Kbyte/块
　　每块可擦除次数：≥100,000 次
　　数据保持时间：≥10 年
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需外部高压
　　待机电流：≤10 μA
　　读取电流：≤30 mA
　　编程/擦除电流：≤50 mA

RC28F320C3TD70具备多项先进特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有显著优势。首先，其基于Intel专有的StrataFlash技术，支持多层存储单元（MLC）概念的早期实现方式之一，允许每个存储单元存储多个比特信息，从而提高存储密度而不显著增加芯片面积。尽管此型号为单级单元（SLC）设计以确保高可靠性，但其底层架构继承了StrataFlash的高性能与低功耗优点。
　　该芯片支持灵活的电源管理机制，包括自动进入低功耗待机模式，在未进行读写操作时大幅降低功耗，适用于电池供电或对能效敏感的应用场景。其次，它内置了智能算法用于块管理和坏块标记，能够在出厂时预标记不可靠区块，并提供用户可编程的坏块识别机制，提升系统的长期运行稳定性。
　　另一个关键特性是其强大的硬件级保护功能，包括软件数据锁定（Software Data Protection, SDP），防止因误操作或异常掉电导致的关键固件被意外擦除或改写。同时支持全局解锁和逐块解锁机制，便于系统升级和维护。
　　RC28F320C3TD70还集成了状态轮询机制和Toggle位输出功能，使主机能够准确判断编程或擦除操作是否完成，避免盲目等待，优化系统响应速度。此外，该器件符合工业级环境要求，可在-40°C至+85°C宽温范围内稳定工作，适用于严苛工业现场环境。
　　最后，该芯片支持与通用微处理器和微控制器的无缝接口连接，兼容标准的异步SRAM读写时序，无需额外的专用控制器即可实现即插即用式集成，降低了系统设计复杂度和开发成本。

RC28F320C3TD70广泛应用于多种需要可靠固件存储的嵌入式系统中。典型应用包括网络基础设施设备，如路由器、交换机和防火墙，用于存放引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置文件；在电信设备中作为协议栈和固件的存储介质，保障通信稳定性和快速启动能力。
　　工业控制系统中，该芯片常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块，存储控制程序和用户设定参数，因其具备出色的抗干扰能力和长期数据保持性能，特别适合无人值守或恶劣环境下的连续运行。
　　此外，在消费类电子产品如机顶盒、打印机、POS终端和智能家居网关中，该器件也扮演着核心固件存储角色。医疗设备中同样可见其身影，用于保存校准数据、诊断程序和安全认证信息，满足医疗行业对数据完整性和可靠性的严格要求。
　　由于其支持XIP（Execute In Place）功能，处理器可直接从该Flash中执行代码而无需加载到RAM，极大节省了内存资源并加快了系统启动速度，因此在实时性要求较高的应用场景中尤为受欢迎。

MT28F320C3TD70
　　S29GL032N90TFIR4
　　K9F1G08U0D