品牌：Intel (现归SK hynix)
　　类型：NOR Flash
　　容量：256 Mbit
　　数据总线宽度：16位
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　接口类型：并行接口
　　封装：56-TSOP
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　访问时间：85ns
　　工艺技术：StrataFlash MLC
　　写保护功能：支持软/硬件写保护
　　ECC支持：内置错误校正码
　　擦除电压：内部电荷泵生成

RC28F256P30T85A的核心特性之一是其基于StrataFlash技术的多级单元（MLC）架构，这一设计在传统NOR Flash的基础上显著提升了存储密度，同时维持了较高的读取性能和代码执行效率。每个存储单元可存储多个电荷状态，实现每单元两位甚至更多数据的存储，从而在相同硅片面积下提供更高的容量。这种技术特别适用于需要大容量非易失性存储但又受限于物理空间和成本的应用场景。尽管MLC通常被认为在耐久性上不如SLC（单级单元），但Intel通过优化编程算法、引入动态磨损均衡和强大的ECC纠错机制，有效延长了器件寿命，并确保在工业级应用中的长期稳定性。
　　该器件支持全芯片和扇区级别的擦除操作，允许用户灵活管理固件更新和数据存储分区。其85ns的快速访问时间确保了处理器可以直接从Flash中执行代码（XIP, eXecute In Place），减少对外部RAM的依赖，降低系统整体成本和功耗。此外，芯片内置电荷泵电路，可在内部生成所需的高压编程电压，无需外部提供高电压电源，简化了电源设计并提高了系统集成度。
　　在可靠性方面，RC28F256P30T85A具备出色的耐久性指标，典型擦写次数可达10万次以上，数据保持时间超过20年。它还集成了智能坏块管理功能，在出厂时即标记不可用块，并在运行过程中动态监控块健康状态。配合主机端的FTL（Flash Translation Layer）或专用驱动程序，可实现高效的存储管理。安全性方面，除了硬件写保护引脚外，还支持通过特定命令序列启用软件级写保护，防止未经授权的修改，适用于需要固件防篡改的安全敏感型应用。

RC28F256P30T85A广泛应用于多种需要高可靠性和稳定代码执行能力的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和工业网关中存储操作系统、控制程序和配置参数。由于其宽温工作范围和抗干扰能力强，非常适合恶劣工业环境下的长期运行。在网络与通信设备中，该芯片被用于路由器、交换机和基站控制器中作为Boot ROM或固件存储介质，支持快速启动和远程固件升级（FOTA）。
　　在汽车电子系统中，RC28F256P30T85A可用于车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘控制模块和ADAS（高级驾驶辅助系统）控制器中，存储引导代码、地图数据或应用固件。其高数据保持能力和耐久性确保车辆在整个生命周期内稳定运行。此外，在医疗设备、测试测量仪器和航空航天电子系统中，该器件也因其高可靠性而被选用，用于存储关键的操作系统映像和校准数据。
　　由于其并行接口提供高带宽数据传输能力，该芯片也适用于需要实时响应和低延迟访问的场合，例如实时操作系统（RTOS）的启动加载和运行时代码调用。配合带有外部存储控制器的MCU或MPU（如ARM9、PowerPC或ColdFire系列），可构建高性能嵌入式平台。此外，其标准化接口便于开发阶段使用通用编程器进行烧录，加快产品开发和量产进程。

S29GL256P_08_S11_01
　　MT28EW256ABA1LJS_05
　　S70GL02GT_010