类型：NOR Flash
　　容量：16 Mbit (2MB)
　　组织结构：2 x 8 Mbit 或 1 x 16 Mbit
　　电压范围：3.0V - 3.6V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装：56-pin TSOP
　　访问时间：90ns
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：按扇区或整片擦除
　　总线宽度：x16
　　写保护功能：硬件WP#引脚支持
　　待机电流：典型值 200μA
　　读取电流：典型值 25mA
　　编程/擦除耐久性：100,000次循环
　　数据保持时间：10年 @ 最高工作温度

RC28F160C3BA90 具备多项关键特性，使其成为嵌入式系统中可靠的非易失性存储解决方案。首先，该芯片采用Intel的StrataFlash技术，结合多电平单元（MLC）设计，在保证较高存储密度的同时优化了成本效率。不同于传统单层单元（SLC）闪存仅存储1比特信息，MLC技术允许每个存储单元存储2比特数据，从而将有效容量翻倍而无需增加物理晶粒尺寸。这一特性对于需要较大程序存储空间但预算有限的设计尤为重要。然而，为了弥补MLC在耐久性和数据保持方面的潜在劣势，该芯片集成了增强型错误校正码（ECC）引擎，能够在读取过程中自动检测并修正多位错误，显著提高数据可靠性。
　　其次，该器件提供灵活的扇区架构，包含多个大小不一的可擦除块（sector），包括一些较小的参数块用于频繁更新的数据存储，以及较大的主块用于存放静态代码。这种分区结构使得用户可以在不影响系统运行的情况下对特定区域进行固件升级或配置修改，提升了系统的可维护性与安全性。所有擦除和编程操作均由片上状态机控制，通过标准命令集触发，简化了主机处理器的控制逻辑。
　　再者，RC28F160C3BA90 支持低功耗管理模式，包括自动待机和深度睡眠模式。当总线处于空闲状态一段时间后，芯片会自动进入低功耗状态以减少能耗，非常适合电池供电或绿色节能应用。此外，它还具备硬件写保护引脚（WP#），可在物理层面防止意外写入或擦除，进一步保障关键数据的安全。
　　最后，该芯片具有良好的工业级环境适应能力，支持宽温工作范围（-40°C 至 +85°C），确保在极端温度条件下依然稳定运行。其高抗干扰能力和抗辐射设计也使其适用于工业自动化、交通控制和户外通信设备等严苛应用场景。

RC28F160C3BA90 主要应用于各类需要可靠、快速读取性能的嵌入式系统中。其典型用途包括网络路由器、交换机和基站控制器中的固件存储，用于保存操作系统映像和启动代码，利用其快速随机读取能力实现高效的XIP（eXecute In Place）操作，即直接从闪存执行程序代码而无需加载到RAM中，从而节省内存资源并加快启动速度。
　　在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程I/O模块，该芯片用于存储控制程序、配置参数和诊断信息。由于这些系统通常运行在恶劣环境中，RC28F160C3BA90 的宽温特性和高可靠性成为关键优势。同时，其扇区保护功能可用于锁定核心程序区，防止非法篡改。
　　在通信设备领域，如DSL调制解调器、光网络终端（ONT）和无线接入点，该芯片承担着协议栈存储和设备初始化代码的角色。其90ns的访问时间能够满足中高端设备对响应速度的要求。
　　此外，该器件也被用于医疗仪器、测试测量设备和汽车电子控制单元（ECU）中，尤其是在需要长期稳定运行且不易更换部件的场合。尽管当前已有更高密度和更低功耗的替代方案出现，但在许多现有设计中，RC28F160C3BA90 仍因其成熟性和供货稳定性而被持续使用。