时间：2025/5/24 13:15:26
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IRF7207TRPBF 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制程技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合用于高效能电源转换、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
这款 MOSFET 的封装形式为 SO-8，适合表面贴装工艺，能够提供出色的散热性能和可靠性。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：3.5A
导通电阻（典型值）：18mΩ
栅极电荷：9nC
总电容（输入电容）：115pF
开关速度（上升时间/下降时间）：12ns/6ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SO-8
IRF7207TRPBF 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力，可满足高频应用需求。
3. 小型 SO-8 封装，适用于高密度设计。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 提供优异的热稳定性和可靠性，适用于各种严苛环境。
IRF7207TRPBF 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池管理系统 (BMS) 中的负载控制开关。
3. 各类电机驱动电路中的功率级元件。
4. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
5. 消费类电子产品的保护电路及快速充电解决方案。
6. LED 照明驱动器中的高效功率调节组件。
IRF7207TRPBF, IRF7207, BSC018N04LS G
