制造商：Intel (现由 SK hynix 继承)
　　类型：NOR Flash
　　存储容量：128 Mbit (16 MB)
　　组织结构：16 M x 8 / 8 M x 16
　　接口类型：并行（CE#, OE#, WE#, BYTE# 等控制信号）
　　电源电压：VCC = 3.0V 至 3.6V（正常工作电压）；VPP = 12V（可选编程电压，部分型号已集成电荷泵）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　封装形式：56-pin TSOP Type II
　　读取访问时间：75 ns（最大值）
　　编程/擦除耐久性：典型10万次擦写周期
　　数据保留时间：10年以上
　　总线宽度：可配置为8位或16位模式
　　写保护功能：支持硬件WP#引脚及软件写保护机制
　　内部状态寄存器：支持就绪/忙（R/B#）输出指示

RC28F128J3F3F75A具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有显著优势。首先，其采用的StrataFlash技术允许每个存储单元存储多位数据，相较于传统NOR Flash提升了存储密度，同时保持了较高的读取速度和可靠性。这种技术在不牺牲性能的前提下降低了单位比特成本，特别适合对成本敏感但又要求快速启动的应用场景。
　　该芯片支持灵活的扇区架构，存储空间被划分为多个可独立擦除的块（Block），包括多个小扇区和大扇区组合，便于实现细粒度的固件更新与数据管理。例如，某些小扇区可用于存储配置参数，而大扇区则用于存放主程序代码，从而优化擦写操作并延长整体寿命。
　　在性能方面，75ns的快速读取访问时间确保了处理器可以直接从该Flash中执行代码（XIP, eXecute In Place），无需将程序加载到RAM，减少了系统内存需求并加快了启动速度。这对于工业控制、网络设备和通信模块等对启动时间和响应速度有严格要求的应用至关重要。
　　RC28F128J3F75A还集成了智能写入和擦除控制逻辑，外部控制器只需发出命令即可由芯片内部状态机自动完成复杂操作，减轻了主控MCU的负担。同时，其内置的写保护机制（包括硬件WP#引脚和软件锁定位）有效防止误操作导致的关键数据丢失或损坏，增强了系统鲁棒性。
　　此外，该器件支持低功耗模式，在待机状态下电流消耗极低，适用于电池供电或节能型系统。其工业级温度范围保证了在极端环境下的长期稳定运行，广泛用于车载电子、工业自动化、医疗设备等领域。尽管该型号已逐步进入停产阶段，但在许多 legacy 设计中仍被广泛使用。

RC28F128J3F75A主要用于需要可靠、快速非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用包括网络路由器和交换机中的固件存储，用于保存操作系统映像和配置文件，支持快速启动和远程升级。在工业控制系统中，它常被用作PLC（可编程逻辑控制器）的程序存储器，因其高可靠性和抗干扰能力，能够在恶劣电磁环境中稳定运行。
　　该芯片也广泛应用于通信基础设施设备，如基站控制模块、光传输设备等，用于存储启动代码和运行参数。在消费类电子产品中，如高端打印机、数字视频录像机（DVR）和智能家电中，RC28F128J3F75A用于存放引导程序和用户界面资源，确保设备快速响应和稳定运行。
　　此外，在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘系统和车载信息娱乐系统（IVI）中，存储校准数据、诊断程序和初始化代码。由于其支持工业温度范围和高耐久性，非常适合在车辆运行过程中承受振动、高温和电压波动等挑战。
　　在医疗设备中，如便携式监护仪和成像系统，该NOR Flash用于保存关键的启动代码和设备配置，确保每次开机都能可靠加载系统。同时，其数据保持能力和写保护功能满足医疗行业对数据完整性的严格要求。
　　随着物联网（IoT）设备的发展，一些需要本地存储固件且对成本和功耗有要求的边缘节点也采用此类并行NOR Flash作为主要存储介质。虽然新型串行SPI NOR Flash正在逐渐替代并行接口产品，但在高带宽、低延迟需求的应用中，RC28F128J3F75A仍然具有不可替代的地位。

S29GL128S_70_03