时间：2025/12/27 3:00:58
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RC28F128J3D75A是一款由Intel（现属SK hynix）推出的并行接口的NOR闪存芯片，属于其第二代快闪存储器产品系列（Intel StrataFlash Embedded Memory）。该器件采用先进的ETOX（EPROM Tunnel Oxide）技术制造，具备高可靠性、低功耗和高性能的特点，广泛应用于工业控制、通信设备、嵌入式系统及网络设备中。该芯片提供128Mbit（16MB）的存储容量，组织方式为8M x16位或等效的16M x8位模式，支持多种读写操作模式，包括快速页读取、异步读取和字节写入功能。其工作电压通常为3.0V至3.6V，适用于需要持久性非易失性存储的应用场景。
RC28F128J3D75A支持硬件写保护机制，防止意外擦除或编程操作，提升了数据安全性。此外，该芯片集成了内部状态机用于自动执行编程和擦除操作，减轻了主控处理器的负担。它还支持扇区擦除、块擦除和整片擦除等多种擦除模式，允许灵活管理存储空间。由于其成熟的工艺和稳定的性能表现，RC28F128J3D75A在许多老旧但仍在服役的嵌入式系统中仍被广泛使用。需要注意的是，随着Intel逐步退出NOR Flash市场，该型号可能已进入停产（EOL）状态，用户在设计新系统时应考虑替代方案或库存供应风险。
型号：RC28F128J3D75A
制造商：Intel / SK hynix
存储类型：NOR Flash
容量：128 Mbit (16 MB)
组织结构：8M x 16 / 16M x 8
接口类型：并行（Async. SRAM-like）
工作电压：3.0V ~ 3.6V
访问时间：75ns
封装形式：TSOP-56 / FBGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
编程电压：内部电荷泵生成
写保护：硬件WP#引脚支持
擦除方式：扇区/块/整片擦除
耐久性：10万次编程/擦除周期
数据保持时间：10年@85°C
RC28F128J3D75A具备多项关键特性，使其成为嵌入式系统中可靠的非易失性存储解决方案。首先，该芯片采用Intel的StrataFlash技术，支持多层存储单元技术（MLC），可在相同物理单元中存储多个比特信息，从而提高存储密度并降低成本。尽管作为NOR Flash，其写入和擦除速度不如NAND Flash快，但在代码执行（XIP, eXecute In Place）方面具有显著优势，允许处理器直接从Flash中运行程序而无需复制到RAM，节省系统资源并加快启动速度。
其次，该器件拥有高效的编程与擦除机制。内部集成的状态机可自动完成编程和擦除操作，用户只需通过简单的命令序列即可触发相应动作，减少了软件开销。同时，芯片支持按扇区（如64KB）、按块（如8KB）以及全片擦除，便于实现精细化的数据管理和固件更新策略。每个扇区均可独立进行擦除，有利于实现分区备份、日志记录等功能。
再者，RC28F128J3D75A具备良好的环境适应性和长期稳定性。其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）确保在严苛环境下依然可靠运行，适合部署于户外通信基站、车载电子或工业自动化设备中。数据保持能力长达10年，在高温条件下仍能维持完整性，满足大多数嵌入式应用的需求。
此外，该芯片提供硬件写保护（WP#引脚）和软件写保护机制，有效防止因电源波动或误操作导致的关键数据丢失。其75ns的访问时间保证了较快的读取响应速度，适用于对实时性要求较高的应用场景。最后，兼容标准SRAM接口的设计使得其易于集成到现有系统中，无需复杂的控制器即可实现与微处理器或DSP的连接。
RC28F128J3D75A广泛应用于各类需要可靠代码存储和运行能力的嵌入式系统中。典型应用包括网络路由器、交换机等通信基础设施设备，其中用于存放引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置文件，支持快速启动和远程固件升级。在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和运动控制器，该芯片用于存储控制逻辑、参数设置和诊断信息，确保断电后数据不丢失。
此外，该器件也常见于医疗设备、测试测量仪器和航空电子系统中，这些领域对数据完整性和长期稳定性有极高要求。例如，在便携式医疗监测仪中，RC28F128J3D75A可用于保存设备校准数据、操作日志和患者历史记录。在车载电子系统中，如车载信息娱乐主机或ADAS模块，它可用于存储启动代码和系统配置。
由于支持XIP（就地执行）功能，该芯片特别适合那些RAM资源有限但需运行复杂程序的系统，避免将整个程序加载至内存，从而优化整体系统架构。另外，在军事和航空航天领域，因其具备宽温工作能力和高抗干扰性，也被用于某些加固型计算平台中。虽然目前该型号趋于淘汰，但在维护和替换老旧设备时仍有大量需求。
MT28EW128ABA1LPC-0SIT
IS25LP128C-JBLE
