RBV406 时间：2025/8/14 0:02:42 阅读：12

RBV406 是一款由 ROHM（罗姆）公司推出的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。该器件采用高效率的沟槽栅极结构，具备较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。RBV406 通常采用 TO-252（DPAK）封装，便于在 PCB 上安装和散热。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（在 Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：5.2mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

RBV406 的主要特性包括低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低功耗，提升系统效率。
　　其沟槽栅极结构设计增强了电流处理能力，并改善了热性能，延长了器件的使用寿命。
　　此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流电路。
　　TO-252 封装形式不仅节省空间，而且便于焊接和散热管理，适合大批量生产和自动化装配。
　　RBV406 还具备良好的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在严苛的工作环境下稳定运行。
　　其栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），兼容多种驱动电路设计，如逻辑电平驱动器和专用 MOSFET 驱动 IC。

应用

RBV406 常用于各种高功率、高效率的电子系统中，包括但不限于：
　　电源管理模块，如同步降压和升压转换器
　　电机驱动电路，特别是在电动车、工业自动化和机器人系统中
　　负载开关和电源分配系统
　　电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路
　　逆变器和电源适配器
　　LED 照明驱动电路
　　由于其高电流能力和低导通电阻，RBV406 也广泛应用于需要大电流开关的工业设备和汽车电子系统中。