类型：N沟道JFET
　　最大漏极电流（ID）：10mA
　　最大漏极-源极电压（VDS）：25V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：-25V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　跨导（gm）：2500μS至5000μS
　　噪声电压（NV）：约2.5nV/√Hz
　　输入电容（Ciss）：7pF

2N4378的主要特性之一是其出色的低噪声性能，使其成为前置放大器和高保真音频放大器的理想选择。该器件的跨导范围为2500μS至5000μS，提供较高的增益能力，能够在高频下保持稳定的放大性能。此外，2N4378具有较宽的工作温度范围，从-55°C到+150°C，使其适用于各种环境条件下的应用。
　　该JFET的输入电容较低，仅为7pF，这有助于减少高频信号的失真，并提高整体电路的稳定性。2N4378还具有良好的线性特性，使得它在模拟信号处理中表现出色，尤其是在需要高保真的应用中。
　　由于其结构特点，2N4378在栅极电压控制下能够实现非常低的输入电流，这有助于减少信号源的负载效应，从而提高系统的整体性能。这种特性在高阻抗信号源的应用中尤为重要，例如在测量仪器和传感器接口中。

2N4378广泛应用于低噪声前置放大器、音频放大器、射频（RF）放大器、测量仪器和信号发生器等电路中。由于其优异的噪声性能和高跨导特性，它特别适合用于音频设备中的前置放大级，以提高信号的清晰度和保真度。
　　在射频应用中，2N4378可以用于设计低噪声放大器，以增强微弱信号的强度，而不引入过多的噪声。此外，该器件的高输入阻抗特性使其非常适合用于测量仪器的输入级，以减少对被测信号的影响。
　　在工业控制和自动化系统中，2N4378可以用于传感器信号的放大和处理，帮助提高系统的精度和可靠性。在教育和研究领域，该器件也常用于实验和教学，以帮助学生理解和掌握JFET的工作原理和应用。

2N4379, 2N4380, 2N4381, BF245, BF862