时间：2025/12/25 14:07:48
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RBS3MM40BTR是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源管理和开关应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极和场板技术制造，能够在低电压下实现优异的导通性能和快速的开关响应。RBS3MM40BTR广泛应用于DC-DC转换器、电源管理系统、电机驱动以及电池供电设备中，特别适用于对空间和能效有严格要求的便携式电子产品。其封装形式为小型化表面贴装型（S-Mini），有助于节省PCB空间并提升系统集成度。该器件符合RoHS环保标准，并具备高可靠性，适合在工业级温度范围内稳定运行。
型号：RBS3MM40BTR
制造商：ROHM Semiconductor
晶体管类型：N沟道MOSFET
漏源电压VDS：30V
栅源电压VGS：±20V
连续漏极电流ID：4.1A
脉冲漏极电流IDM：16A
导通电阻RDS(on) max @ VGS=10V：58mΩ
导通电阻RDS(on) max @ VGS=4.5V：78mΩ
导通电阻RDS(on) typ @ VGS=4.5V：65mΩ
阈值电压Vth min：1.0V
阈值电压Vth max：2.0V
输入电容Ciss：490pF @ VDS=15V
输出电容Coss：210pF @ VDS=15V
反向传输电容Crss：40pF @ VDS=15V
总栅极电荷Qg typ @ VGS=10V：7.5nC
开启延迟时间td(on) typ：7ns
关断延迟时间td(off) typ：18ns
工作结温范围Tj：-55°C 至 +150°C
封装类型：S-Mini (HVSOF5)
安装方式：表面贴装
RBS3MM40BTR采用了ROHM独有的Trench MOS结构与场板技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，同时优化了开关损耗，从而提升了整体能效。其在VGS=4.5V时仍能保持较低的导通电阻（典型值65mΩ），表明该器件在逻辑电平驱动条件下也能高效工作，适用于由3.3V或5V控制器直接驱动的应用场景。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg typ 7.5nC）和米勒电荷（Qgd），有助于减少驱动功耗并加快开关速度，降低高频开关应用中的动态损耗。
器件的热稳定性良好，得益于优化的芯片设计和高导热封装材料，使其在持续负载条件下仍能维持较低的工作温度。S-Mini封装不仅体积小巧（约与SOT-23相当但性能更强），还具备优良的散热性能，通过底部散热焊盘可有效将热量传导至PCB，增强散热能力。该封装还支持回流焊工艺，适合自动化生产流程。
RBS3MM40BTR具备良好的抗雪崩能力和稳健的栅极氧化层设计，提高了器件在瞬态过压和浪涌条件下的可靠性。其符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准，表明其可用于汽车电子系统中，如车载充电模块、车身控制单元等。此外，器件无卤素且符合RoHS指令，体现了环保设计理念。总体而言，RBS3MM40BTR是一款高性能、小尺寸、高可靠性的功率MOSFET，适用于现代高密度电源系统的设计需求。
RBS3MM40BTR广泛用于需要高效能、小尺寸功率开关的场合。典型应用包括便携式电子设备中的DC-DC降压转换器、同步整流电路、负载开关、电池管理系统的充放电控制、电机驱动模块以及各类电源分配网络中的开关元件。由于其优异的导通特性和快速响应能力，也常用于LED背光驱动、USB电源开关及热插拔电路中。在工业控制领域，可用于PLC模块、传感器供电控制和小型继电器替代方案。此外，因其满足车规级可靠性要求，亦适用于汽车电子中的车身电子系统、车载信息娱乐电源管理及辅助电源模块。其小型化封装特别适合空间受限的高密度PCB布局设计，是现代高效电源系统中的理想选择。
RB088LAM-30, RBR2L030AN, SiSS058DN, AOZ5215AI
