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AUIRFR3710ZTRR 发布时间 时间:2025/7/12 16:22:24 查看 阅读:13

AUIRFR3710ZTRR是一款由IR(国际整流器公司)推出的增强型P沟道功率MOSFET,专为汽车级应用设计。该器件采用TOLL封装形式,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点。它适用于各种开关电源、负载切换以及电机驱动等场景。
  AUIRFR3710ZTRR通过AEC-Q101认证,确保在极端环境下的可靠性。其主要特点包括出色的热性能、较低的栅极电荷以及优化的反向恢复特性。

参数

类型:P沟道 MOSFET
  最大漏源电压Vds:40 V
  最大栅源电压Vgs:±20 V
  连续漏极电流Id:95 A
  导通电阻Rds(on):1.2 mΩ
  栅极电荷Qg:20 nC
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TOLL

特性

AUIRFR3710ZTRR具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低功耗并提升效率。
  2. 高电流承载能力,能够满足大功率应用场景的需求。
  3. 符合AEC-Q101标准,适合严苛的汽车电子环境。
  4. TOLL封装提供卓越的散热性能,并支持高效的电路板布局。
  5. 较低的栅极电荷减少了开关损耗,从而提升了动态性能。
  6. 稳定的工作温度范围,使其能够在极端条件下保持可靠运行。
  7. 反向恢复特性经过优化,可减少电磁干扰和噪声问题。
  这款器件非常适合用于需要高效能和高可靠性的汽车及工业领域。

应用

AUIRFR3710ZTRR广泛应用于以下领域:
  1. 汽车电子中的DC-DC转换器和负载切换。
  2. 工业设备中的电机控制和逆变器。
  3. 大功率开关电源和不间断电源(UPS)系统。
  4. 各种电池管理系统(BMS)中的保护电路。
  5. 高效能LED驱动器和其他功率管理模块。
  由于其强大的电流处理能力和低导通电阻,该器件成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

IRFR3710ZPBF, AUIRF3710TRPBF

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AUIRFR3710ZTRR参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 33A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2930pF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)