AUIRFR3710ZTRR是一款由IR(国际整流器公司)推出的增强型P沟道功率MOSFET,专为汽车级应用设计。该器件采用TOLL封装形式,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点。它适用于各种开关电源、负载切换以及电机驱动等场景。
AUIRFR3710ZTRR通过AEC-Q101认证,确保在极端环境下的可靠性。其主要特点包括出色的热性能、较低的栅极电荷以及优化的反向恢复特性。
类型:P沟道 MOSFET
最大漏源电压Vds:40 V
最大栅源电压Vgs:±20 V
连续漏极电流Id:95 A
导通电阻Rds(on):1.2 mΩ
栅极电荷Qg:20 nC
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装形式:TOLL
AUIRFR3710ZTRR具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低功耗并提升效率。
2. 高电流承载能力,能够满足大功率应用场景的需求。
3. 符合AEC-Q101标准,适合严苛的汽车电子环境。
4. TOLL封装提供卓越的散热性能,并支持高效的电路板布局。
5. 较低的栅极电荷减少了开关损耗,从而提升了动态性能。
6. 稳定的工作温度范围,使其能够在极端条件下保持可靠运行。
7. 反向恢复特性经过优化,可减少电磁干扰和噪声问题。
这款器件非常适合用于需要高效能和高可靠性的汽车及工业领域。
AUIRFR3710ZTRR广泛应用于以下领域:
1. 汽车电子中的DC-DC转换器和负载切换。
2. 工业设备中的电机控制和逆变器。
3. 大功率开关电源和不间断电源(UPS)系统。
4. 各种电池管理系统(BMS)中的保护电路。
5. 高效能LED驱动器和其他功率管理模块。
由于其强大的电流处理能力和低导通电阻,该器件成为许多高要求应用的理想选择。
IRFR3710ZPBF, AUIRF3710TRPBF