时间：2025/12/25 11:11:51
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RBR1LAM60ATR是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode, SBD），专为高效率、高频整流应用设计。该器件采用先进的沟槽式肖特基势垒结构，结合了低正向电压降（VF）与软恢复特性，能够显著降低开关损耗，提升电源系统的整体能效。RBR1LAM60ATR的额定反向耐压为60V，最大平均整流电流为1A，适用于DC-DC转换器、同步整流电路、续流二极管以及各类消费类电子和工业电源模块。其封装形式为小型表面贴装型SOD-123FL，具有较小的占板面积和良好的热性能，适合高密度PCB布局。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。RBR1LAM60ATR在高温环境下仍能保持稳定性能，工作结温范围可达-55°C至+150°C，适用于严苛的工作条件。
类型：肖特基势垒二极管
极性：单路
反向重复电压（VRRM）：60V
平均整流电流（IF(AV)）：1A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
正向电压（VF）：典型值0.47V（在IF=1A, TJ=25°C条件下）
反向漏电流（IR）：最大10μA（在VR=60V, TJ=25°C）
反向恢复时间（trr）：典型值15ns
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOD-123FL
安装类型：表面贴装（SMD）
引脚数：2
热阻（Rth(j-a)）：约350°C/W
极性标识：阴极端有色带标记
RBR1LAM60ATR采用了ROHM独有的沟槽式肖特基势垒结构（Trench Schottky Structure），这一创新技术有效提升了器件的电场分布均匀性，从而在维持低正向导通压降的同时，增强了反向耐压能力与可靠性。传统的平面型肖特基二极管在高反向偏压下容易出现电场集中现象，导致漏电流增大甚至击穿风险增加；而沟槽结构通过刻蚀形成垂直的金属-半导体接触界面，优化了电场分布，显著降低了边缘电场强度，提高了器件的长期稳定性与抗浪涌能力。
该器件具备优异的软恢复特性，在高频开关应用中表现出较低的电磁干扰（EMI）。由于其载流子存储效应较弱，反向恢复过程中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，避免了因电流突变引起的电压振铃和功率损耗，特别适用于高频率DC-DC变换器中的续流或同步整流路径。此外，低正向电压降（VF ≈ 0.47V @ 1A）意味着更少的导通损耗，有助于提高电源转换效率并减少散热需求，尤其在便携式设备和电池供电系统中优势明显。
RBR1LAM60ATR的SOD-123FL封装具有极小的外形尺寸（约2.7mm × 1.6mm × 1.1mm），支持自动化贴片生产，适用于紧凑型电源模块设计。该封装还具备较低的寄生电感和良好热传导性能，配合优化的PCB焊盘设计可进一步提升热管理效果。器件符合AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其在温度循环、高温反偏（HTRB）、湿度敏感度等级（MSL1）等方面均通过严格测试，可用于汽车电子中的辅助电源系统。同时，产品不含铅和卤素，符合现代绿色制造趋势。
RBR1LAM60ATR广泛应用于需要高效、高频整流的电源电路中。典型应用场景包括：开关模式电源（SMPS）中的续流二极管或输出整流环节，尤其是在低压大电流输出的DC-DC降压转换器中，其低VF特性可显著提升转换效率；在同步整流架构中作为参考或辅助二极管使用，用于检测零电流或提供初始导通路径；在逆变器和电机驱动电路中充当反电动势泄放通路，保护主开关器件免受电压冲击；还可用于电池充电管理模块、USB PD电源适配器、LED驱动电源以及各类嵌入式系统中的隔离与保护电路。
由于其出色的高频响应能力和低噪声恢复特性，该器件也适用于对电磁兼容性（EMC）要求较高的通信设备、工业控制单元及医疗电子设备。在汽车电子领域，RBR1LAM60ATR可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电模块、车身控制模块（BCM）等非主驱电源部分，凭借其宽工作温度范围和高可靠性，能够在恶劣环境下稳定运行。此外，因其小型化封装特点，非常适合空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等内部的次级电源轨整流应用。
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