RBR1000 时间：2025/8/12 17:27:28 阅读：31

RBR1000 是由 ROHM（罗姆）公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率应用。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和电池供电设备等领域。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：7.0A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 850mΩ（在 Vgs = 10V 时）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

RBR1000 的最大漏源电压为 100V，适合用于中高功率应用，如开关电源、逆变器和电机控制。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下也能保持较低的功率损耗，提高了系统效率。此外，该 MOSFET 在 10V 栅极电压下的导通电阻最大为 850mΩ，使其在高频开关应用中表现优异，有助于减小开关损耗。
　　RBR1000 采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理能力，有助于在高负载条件下保持稳定运行。该封装也便于焊接和安装，适用于自动化生产和高密度 PCB 布局。
　　其栅极阈值电压范围为 1V 至 2.5V，确保了器件可以在较低的控制电压下正常工作，适用于多种控制电路设计。该 MOSFET 还具有较高的耐用性和抗干扰能力，能够在恶劣环境下稳定运行。
　　由于其优异的电气性能和稳定的封装设计，RBR1000 被广泛应用于电源转换器、LED 照明驱动、工业自动化设备和消费类电子产品中。

应用

RBR1000 主要应用于需要高效能功率开关的电子设备中。例如，在开关电源（SMPS）中，该 MOSFET 可用于主开关或同步整流器，以提高整体效率。在 DC-DC 转换器中，它可作为功率开关用于升降压转换电路，适用于电池管理系统和便携式设备。此外，RBR1000 也常用于电机驱动器和继电器替代电路，以实现快速开关控制和降低能耗。在工业自动化和电机控制领域，RBR1000 也常用于负载开关和功率调节模块。