时间：2025/12/25 11:39:53
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RBE2VAM20ATR是一款由ROHM Semiconductor生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode, SBD），专为高效率、高频整流应用设计。该器件采用先进的平面结构和薄片工艺技术，具备低正向电压降（VF）和快速开关特性，适用于对功耗和散热有严格要求的电源系统。RBE2VAM20ATR的最大反向重复电压（VRRM）为20V，最大平均整流电流（IO）可达2A，在小尺寸表面贴装封装（通常为SOD-123FL）中实现了优异的电流处理能力与热性能。这款二极管广泛用于便携式电子设备、DC-DC转换器、逆变电路、续流与箝位电路以及电池供电系统中，尤其适合追求小型化和高效能的现代电子产品设计需求。其无铅结构符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性和长期稳定性。
型号：RBE2VAM20ATR
类型：肖特基势垒二极管
最大反向重复电压 VRRM：20V
最大平均整流电流 IO：2A
峰值正向浪涌电流 IFSM：50A
最大正向电压 VF：0.49V（典型值，IF=2A）
最大反向漏电流 IR：10μA（典型值，VR=20V）
工作结温范围 TJ：-55°C 至 +150°C
存储温度范围 TSTG：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOD-123FL
安装方式：表面贴装
极性：单二极管
热阻 Rth(j-a)：约250°C/W（取决于PCB布局）
RBE2VAM20ATR的核心优势在于其低正向导通压降与快速恢复特性，这使其在低电压大电流的应用场景中表现出卓越的能量转换效率。由于采用了ROHM成熟的肖特基势垒结构，该器件在2A电流下的典型正向压降仅为0.49V，显著低于传统PN结二极管，从而大幅降低导通损耗，提升整体电源系统的能效表现。这对于电池供电设备尤为重要，能够有效延长续航时间。
此外，该二极管具有极短的反向恢复时间（trr < 10ns），几乎无反向恢复电荷（Qrr），因此在高频开关电源如同步整流DC-DC变换器中可减少开关噪声和电磁干扰（EMI），并避免因反向恢复引起的额外功率损耗。这种特性也使得它非常适合用于高频整流、续流和防反接保护等场合。
RBE2VAM20ATR采用SOD-123FL超小型表面贴装封装，体积紧凑，适合高密度PCB布局，有助于实现终端产品的轻薄化设计。该封装还具备优良的散热性能，在合理布板条件下可有效传导热量，确保器件在高温环境下稳定运行。同时，产品通过AEC-Q101可靠性认证，适用于汽车级应用环境，具备出色的耐湿性和抗热冲击能力。
该器件不含铅和卤素，符合RoHS和无卤素指令要求，满足现代绿色电子制造的标准。生产过程中实施严格的品质控制流程，保证批次一致性与长期供货稳定性，是工业控制、消费电子及车载信息娱乐系统中的理想选择之一。
RBE2VAM20ATR广泛应用于各类需要高效、高频整流功能的电子系统中。典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的DC-DC降压或升压转换器，作为输出整流或续流二极管使用；在笔记本电脑和USB PD电源适配器中用于辅助电源轨的整流与隔离；在太阳能充电控制器、LED驱动电源和无线充电模块中发挥低损耗整流作用。
在工业领域，该器件可用于PLC电源模块、传感器供电单元、电机驱动电路中的箝位保护，以及各种嵌入式控制系统中的电源管理部分。由于其具备良好的温度稳定性和瞬态响应能力，也能胜任恶劣工作环境下的任务。
在汽车电子方面，RBE2VAM20ATR适用于车载导航系统、仪表盘电源、车身控制模块（BCM）、ADAS子系统以及车载充电机（OBC）中的辅助电源设计。其AEC-Q101认证确保了在车辆启动、熄火及剧烈温度变化过程中的可靠运行。此外，也可用于电池管理系统（BMS）中进行电池反接保护和充放电路径控制。
由于其快速开关特性和低电磁干扰特性，该二极管还可用于高频逆变器、开关模式电源（SMPS）和同步整流拓扑结构中，替代传统快恢复二极管以提升系统效率。
RBV2VAM20T101
RBV2VAM20T201
SS24
MBR220
SB220
