类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：300mA
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：1A
　　最大正向电压（VF）：460mV @ 300mA
　　最大反向漏电流（IR）：10μA @ 40V
　　反向恢复时间（trr）：<1ns
　　工作结温范围（Tj）：-40°C ~ +125°C
　　封装/外壳：SC-79（SOD-523FL）
　　安装类型：表面贴装（SMT）

RB751VM-40的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒结构，实现了极低的正向导通压降，典型值仅为460mV，在300mA的工作电流下显著降低了功率损耗，提升了整体能效。这一特性对于电池供电设备尤为重要，能够有效延长续航时间。同时，由于肖特基二极管本身无少数载流子存储效应，其反向恢复时间极短，通常小于1纳秒，几乎可以忽略不计，这使得它在高频开关应用中不会产生明显的开关损耗或振铃现象，提高了系统的稳定性和效率。
　　该器件采用Rohm专有的高可靠性芯片工艺和薄型引线框架技术，不仅保证了电气性能的一致性，还大幅减小了封装体积。SC-79封装尺寸紧凑，典型尺寸约为1.6mm x 1.2mm x 0.6mm，适合高密度PCB布局，并支持自动化贴片生产。此外，SOD-523FL封装具有优良的散热性能，能够将工作时产生的热量快速传导至PCB，避免局部过热导致的性能下降或失效。
　　RB751VM-40具备出色的温度稳定性，在-40°C至+125°C的宽结温范围内均可稳定工作，满足工业级和汽车级应用的需求。其反向漏电流控制在10μA以内（在40V、常温下），即便在高温环境下也保持较低水平，确保了电路在待机或轻载状态下的低功耗表现。产品经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环测试，确保长期使用的耐久性。作为车规级器件，它适用于车载充电器、DC-DC转换器、负载开关和电源路径管理等多种汽车电子模块。

RB751VM-40被广泛应用于需要高效、小型化和高可靠性的电源系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电池充放电保护电路，用于防止电池反接或外部电源反灌；在DC-DC降压或升压转换器中作为续流二极管，利用其低VF和快速响应特性减少能量损失，提高转换效率；也可用于USB电源端口的防倒灌保护，保障主控芯片安全。在物联网设备、智能传感器和无线耳机等对空间和功耗极为敏感的产品中，该器件凭借其微小封装和低静态功耗成为理想选择。
　　在汽车电子领域，RB751VM-40可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统、LED照明驱动电源以及ADAS（高级驾驶辅助系统）的电源管理单元。其AEC-Q101认证确保了在剧烈温度变化、振动和电磁干扰等恶劣环境下的稳定运行。此外，还可用于工业控制设备中的信号隔离、电源冗余切换和瞬态电压抑制电路，提供可靠的单向导通功能。由于其优异的高频特性，也适用于射频模块中的检波或钳位电路，以及开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流环节。

RB751S-40T101
　　RB751V-40