型号：RB751V40G-CB2-R
　　类型：双肖特基势垒二极管（共阴极）
　　封装形式：SOD-523F
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　正向电流（IF）：最大300mA
　　重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　直流反向电压（VR）：40V
　　正向电压（VF）：典型值0.38V（在10mA时），最大0.55V（在300mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大0.1μA（在25°C下，25V时）；高温条件下不超过10μA（在100°C下，25V时）
　　结电容（Cj）：典型值30pF（在0V，1MHz下）
　　热阻（Rth(j-a)）：约625K/W（标准FR-4 PCB）
　　安装方式：表面贴装（SMT）

RB751V40G-CB2-R具备出色的电学性能和封装优势，首先其采用先进的肖特基势垒结构，使得正向导通电压显著低于传统PN结二极管，从而降低了功率损耗并提高了能源利用效率。在轻载或小电流工作状态下，其典型正向压降仅为0.38V，在300mA负载下也控制在0.55V以内，这一特性使其非常适合用于低压、低功耗系统的电源路径管理。
　　其次，该器件为双二极管共阴极配置，集成在一个微型SOD-523F封装内，极大节省了PCB布板空间，同时简化了电路设计复杂度，尤其适用于多通道信号处理或需要并联使用的场合。SOD-523F封装不仅体积小巧（约1.0×0.6×0.45mm），还具备良好的散热性能和机械强度，支持自动化贴片生产流程，提升了制造效率与产品一致性。
　　再者，RB751V40G-CB2-R拥有极低的反向漏电流，在常温25°C时最大仅为0.1μA，在高温100°C环境下仍可控制在10μA以下，这保证了其在待机或休眠模式下的微弱电流泄漏，避免不必要的能耗增加，满足节能设计需求。
　　此外，该器件具备快速开关响应能力，由于肖特基二极管本身无少数载流子存储效应，因此反向恢复时间几乎可以忽略不计，极大地减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰问题，适用于高频整流和高速信号切换应用。
　　最后，该产品通过AEC-Q101可靠性认证的可能性较高（需查证具体批次），具备较强的环境适应性，可在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定运行，适用于工业级乃至部分汽车电子场景。整体而言，RB751V40G-CB2-R是一款集小型化、高效能、低功耗和高可靠性于一体的高性能双肖特基二极管，适合多种现代电子系统的设计需求。

RB751V40G-CB2-R广泛应用于各类需要高效整流、信号保护和低功耗运行的电子设备中。常见用途包括便携式消费电子产品中的电源管理单元，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备，用于电池充放电回路中的防反接保护和电压钳位功能，防止外部异常电压损坏内部IC。
　　在DC-DC转换器电路中，该器件可用于同步整流辅助路径或反馈回路中的续流二极管，凭借其低正向压降减少能量损失，提高整体转换效率。此外，在USB接口、Type-C充电模块或多路电源切换电路中，它常被用作理想二极管替代方案，实现自动电源选择与隔离。
　　该器件也适用于高频信号处理系统，如射频前端模块、无线通信模块（Wi-Fi、LoRa、ZigBee等）中的ESD静电保护和瞬态电压抑制，因其低结电容（典型30pF）不会对高频信号造成明显衰减或失真。
　　在工业控制领域，RB751V40G-CB2-R可用于传感器信号调理电路中的箝位保护，防止感应电压或噪声尖峰导致敏感元件损坏。同时，也可作为逻辑电平移位电路中的隔离二极管，确保信号单向传输。
　　由于其小型封装和高可靠性，该器件同样适用于汽车电子中的非驱动类应用，如车载信息娱乐系统、车内照明控制、远程无钥匙进入模块等，在有限空间内提供稳定的二极管功能。总之，RB751V40G-CB2-R凭借其优良的电气特性与紧凑设计，已成为众多高密度、低功耗电子系统中不可或缺的基础元器件之一。

RB751S40TRF
　　RB751V40T101R
　　DF02M-S-17-F