时间:2025/12/25 13:04:47
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RB751V-40TE17是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用小型化封装SOD-123W,适用于高密度印刷电路板设计。该器件主要设计用于高频开关电源、DC-DC转换器、整流电路以及反向电压保护等应用场合。其核心优势在于低正向导通电压(VF)和快速反向恢复时间(trr),这使其在提升系统效率和降低功耗方面表现出色。由于采用了肖特基结构,RB751V-40TE17不依赖少数载流子的复合过程进行开关操作,因此不存在传统PN结二极管的反向恢复电荷问题,极大减少了开关损耗,特别适合高频工作环境。
该型号的“RB751V”代表产品系列,“-40”表示其最大重复峰值反向电压为40V,“TE17”为编带包装规格代码,便于自动化贴片生产。器件符合RoHS环保标准,并具备良好的热稳定性和可靠性,能够在-40°C至+125°C的宽温度范围内稳定运行。RB751V-40TE17广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品、通信模块及工业控制设备中,作为关键的功率管理元件。
类型:肖特基势垒二极管
极性:单二极管
最大重复反向电压(VRRM):40V
最大平均正向整流电流(IO):200mA
峰值浪涌正向电流(IFSM):1.5A
最大正向电压(VF):550mV @ IF=100mA
最大反向电流(IR):50μA @ VR=40V
反向恢复时间(trr):4ns
工作结温范围(TJ):-40°C 至 +125°C
存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
封装形式:SOD-123W
安装类型:表面贴装(SMT)
RB751V-40TE17的核心特性之一是其低正向导通电压性能,在典型工作电流100mA下,VF仅为550mV左右,显著低于传统硅PN结二极管(通常为700mV以上)。这一特性直接降低了导通状态下的功率损耗(Ploss = VF × IF),提升了整体电源转换效率,尤其在电池供电或对能效要求较高的系统中具有重要意义。例如,在便携式设备的DC-DC升压或降压电路中,使用该二极管可有效减少发热,延长电池续航时间。此外,低VF也意味着更小的热应力,有助于提高系统长期运行的稳定性与可靠性。
另一个关键特性是其极短的反向恢复时间(trr ≈ 4ns)。由于肖特基二极管基于金属-半导体结而非PN结,其开关过程几乎不涉及少数载流子的储存与复合,因此在从导通态切换到截止态时几乎没有反向恢复电荷(Qrr)。这种“软开关”特性极大地抑制了开关瞬间产生的电流尖峰和电磁干扰(EMI),使得RB751V-40TE17非常适合用于高频开关电源(如几十kHz到数MHz范围)和高速整流应用。相比普通快恢复二极管,它能够显著改善系统的动态响应并降低噪声水平。
RB751V-40TE17采用SOD-123W小型表面贴装封装,尺寸紧凑(约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm),适合高密度PCB布局,支持自动贴片工艺,有利于大规模生产。该封装具备良好的散热性能和机械强度,能在有限空间内实现高效热传导。同时,器件满足AEC-Q101汽车级可靠性认证的部分要求(具体需参考官方数据手册),可用于车载电子中的非主控单元,如LED照明驱动、传感器电源管理等场景。此外,产品通过无铅认证,符合现代绿色电子制造趋势。
RB751V-40TE17广泛应用于各类需要高效、小型化整流解决方案的电子系统中。在DC-DC转换器中,常被用作同步整流替代方案中的续流二极管或输出整流元件,特别是在升压(Boost)、降压(Buck)及反激式(Flyback)拓扑结构中表现优异。由于其低VF和快速响应能力,有助于提升转换效率并减少热量积累,适用于智能手机、平板电脑、无线耳机等移动终端的电源模块。
在AC-DC适配器和充电器中,该二极管可用于次级侧整流或钳位电路,帮助优化轻载效率并降低待机功耗。其高频特性也使其适用于开关模式电源(SMPS)中的噪声抑制和电压箝位保护。此外,在信号整流和检测电路中,RB751V-40TE17因其快速响应能力可用于高频信号包络检波或逻辑电平隔离。
在消费类电子产品如电视、机顶盒、路由器等设备中,该器件常用于电源轨之间的防倒灌二极管(OR-ing diode),防止多个电源同时供电时发生反向电流流动。在工业控制系统中,可用于PLC模块、传感器接口电路中的瞬态电压抑制和极性保护。另外,由于其小型封装和高可靠性,也被广泛应用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、车身控制模块和LED照明驱动电源中,提供高效的功率管理支持。
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"RB751V-40T1U",
"RB751V-40T1R",
"SS14",
"SK14",
"MBR0540"
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