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HYG013N03LS1C2 发布时间 时间:2025/9/2 6:35:30 查看 阅读:9

HYG013N03LS1C2是一款由东芝(Toshiba)制造的功率MOSFET,属于N沟道增强型场效应晶体管。这款MOSFET设计用于高效能和高频率的开关应用,具备低导通电阻(RDS(on))和快速开关速度的特点。其封装形式为SOP(Small Outline Package),适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及马达控制等应用领域。HYG013N03LS1C2采用了先进的沟槽栅极技术和优化的芯片设计,以提供卓越的热性能和电流处理能力。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电压(VDS):30V
  最大栅极电压(VGS):20V
  最大连续漏极电流(ID):13A
  导通电阻(RDS(on)):13mΩ(典型值)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOP-8

特性

HYG013N03LS1C2具有多项关键特性,使其适用于高效率功率转换系统。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,该器件具备高电流处理能力,能够在持续负载条件下稳定运行。该MOSFET采用先进的沟槽栅极技术,使开关性能更加优异,减少开关损耗,并增强热稳定性。
  其SOP-8封装形式不仅提供了良好的散热性能,还支持表面贴装工艺,适用于自动化生产流程。此外,该器件具有良好的抗雪崩能力,可在异常工作条件下提供更高的可靠性。HYG013N03LS1C2还具备快速开关速度,使其适用于高频开关应用,如同步整流、DC-DC降压/升压转换器以及电源管理系统。
  该MOSFET的工作温度范围宽达-55°C至150°C,确保其在极端环境条件下仍能保持稳定运行。此外,其栅极驱动电压范围较宽,支持常见的3.3V、5V和12V逻辑电平驱动,提高了设计灵活性。

应用

HYG013N03LS1C2广泛应用于多种功率电子系统中,包括但不限于:电源管理单元、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统(BMS)、服务器电源供应器、电信设备电源模块、工业自动化控制系统以及便携式电子设备的电源管理电路。其低导通电阻和高开关频率特性使其特别适合用于高效能、小型化电源设计。

替代型号

Si4410BDY-T1-GE3, IRF7413TRPBF, SQM114N10-07L, AO4406A

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