类型：NPN 双极性晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功率耗散（PD）：300mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据工作条件）
　　封装类型：SOT-23

RB751G40 晶体管具有多个显著特性，使其成为许多电子设计中的首选器件。首先，其较高的过渡频率（fT）可达 100MHz，使其适用于高频放大电路和开关电路。其次，晶体管的电流增益范围广泛，从 110 到 800，具体值取决于工作电流和温度条件，这为设计者提供了灵活性。此外，SOT-23 封装不仅节省空间，而且具备良好的热性能和电气特性，适合表面贴装技术（SMT）生产工艺。
　　该晶体管还具有较低的饱和压降（VCE(sat)），通常在 0.2V 至 0.3V 之间，有助于降低功耗并提高效率。RB751G40 的最大集电极-发射极电压为 40V，允许其在中等电压环境下工作，而最大集电极电流为 100mA，适合轻载和中等负载应用。其最大功率耗散为 300mW，确保在各种工作条件下保持稳定的性能。
　　在环境适应性方面，RB751G40 具有良好的温度稳定性，能够在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内正常工作。这种宽温度范围使其适用于工业级和汽车电子系统等严苛环境。

RB751G40 常用于各种电子设备和系统中，包括但不限于以下应用领域：
　　1. **信号放大电路**：由于其高频响应和可调的电流增益特性，RB751G40 被广泛应用于射频（RF）和音频信号放大电路中。
　　2. **开关电路**：其快速开关特性和低饱和压降使其成为数字电路和电源管理应用中的理想选择。
　　3. **接口电路**：该晶体管常用于电平转换和信号隔离电路，特别是在微控制器和传感器接口中。
　　4. **汽车电子系统**：得益于其宽温度范围和高可靠性，RB751G40 常用于汽车中的各种控制模块和传感器接口。
　　5. **消费类电子产品**：在便携式设备、音频设备和家用电器中，RB751G40 也常用于电源控制和信号处理。

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, PN2222A