时间：2025/8/14 6:36:05
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RB731UTW_R1_00001 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效功率开关应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了优异的导通性能和快速的开关特性。RB731UTW_R1_00001 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等应用。该 MOSFET 采用小型表面贴装封装（如 TSMT4 封装），适用于高密度 PCB 设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：5.6A
导通电阻（Rds(on)）：145mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散（Pd）：1.6W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TSMT4（表面贴装）
RB731UTW_R1_00001 MOSFET 具备多项优异特性，使其在低电压功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为 145mΩ，在 4.5V 栅极驱动电压下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的电流处理能力，额定连续漏极电流为 5.6A，适用于中等功率开关应用。
其次，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±12V，使其兼容多种驱动电路设计。同时，该器件具有良好的热稳定性，在 1.6W 的额定功率耗散下能够满足大多数便携式设备和嵌入式系统的散热要求。其采用 TSMT4 表面贴装封装，体积小巧，便于在空间受限的 PCB 设计中使用。
此外，RB731UTW_R1_00001 具备良好的抗静电能力和可靠性，符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域。
该 MOSFET 主要应用于需要高效、小型化功率开关的电子设备中。例如，在 DC-DC 转换器和同步整流电路中，RB731UTW_R1_00001 可作为高侧或低侧开关，提供高效的能量转换。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制和负载隔离。此外，它还可用于电机驱动器、电源管理模块、LED 驱动电路以及负载开关控制等场景。
由于其低导通电阻和快速开关特性，RB731UTW_R1_00001 也广泛用于手持设备、移动电源、智能电表、工业自动化设备及物联网（IoT）设备中的电源管理部分。该器件在汽车电子应用中也有一定市场，例如车载充电器、车身控制模块和车载信息娱乐系统等。
Si2302DS, 2N7002, BSS138, AO3400A
