时间：2025/9/14 2:43:51
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BUK9M6R7-40HX是一款由Nexperia（安世半导体）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench肖特基技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于各种电源管理和功率转换应用。该MOSFET的最大漏极-源极电压为40V，适合用于中低电压功率系统。该器件采用DFN2020D-8（双侧散热）封装，提供了良好的散热性能和空间节省，适用于紧凑型设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极-源极电压（Vds）：40V
最大栅极-源极电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）@25°C：150A
最大导通电阻（Rds(on)）：6.7mΩ @ Vgs=10V
导通电阻温度系数：正温度系数
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：DFN2020D-8
安装类型：表面贴装（SMD）
功率耗散（Ptot）：93W（@Tamb=25°C）
BUK9M6R7-40HX具有多项优异的电气和热性能。其低导通电阻（Rds(on)）为6.7mΩ，在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，有助于提高电源转换效率。这使得该MOSFET在高功率密度设计中表现出色，如DC-DC转换器和电池管理系统。
该器件采用先进的Trench肖特基技术，提高了开关速度并降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，增强了系统的稳定性和寿命。
DFN2020D-8封装提供了双侧散热能力，有效提升散热效率，使得在高电流工作条件下，器件温度保持在安全范围内。该封装结构也支持自动化生产和紧凑布局，适用于现代电子产品的高集成度设计。
该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态过电压和大电流冲击，适用于电动工具、汽车电子和工业控制系统等对可靠性要求较高的场合。
BUK9M6R7-40HX广泛应用于多个高性能功率管理系统。在DC-DC转换器中，该MOSFET可以作为高边或低边开关，提供高效的电压转换能力，适用于服务器电源、通信设备和嵌入式系统。在电机驱动器中，由于其高电流承载能力和快速开关特性，适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的控制。
该器件也常用于电池管理系统（BMS），如电动自行车、电动滑板车和储能系统中的充放电控制电路。其低导通电阻有助于减少电池能量损耗，提高续航能力。
此外，BUK9M6R7-40HX适用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、电动助力转向系统（EPS）和LED车灯驱动模块。其高可靠性和耐久性满足汽车应用对器件稳定性的严格要求。
工业自动化设备中，该MOSFET可用于PLC输出模块、继电器替代方案和智能电表的电源管理单元。
BUK9M6R7-40HX的替代型号包括IPB017N04N G、PSMN1R0-40YLC、BSC010N04LS G、SiSS100DN-T1-GE3、FDS4410A、FDMS86101、AO4407、Si4410BDY-T1-GE3、FDD1600、FDMS86101A
