类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　最大均方根电压（VRMS）：28V
　　最大平均整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：600mV @ 1A
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 25°C, 40V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：200°C/W（典型值）
　　封装/包装：SOD-123FL

RB558W作为一款高性能的肖特基势垒二极管，其核心优势在于极低的正向导通压降和极快的开关响应速度。这种二极管利用金属-半导体结而非传统的PN结，从而避免了少数载流子的存储效应，实现了纳秒级的反向恢复时间，极大提升了在高频开关环境下的工作效率。其最大正向压降仅为600mV（在1A电流下），相较于普通硅二极管通常700mV以上的压降，能够显著降低功率损耗，提高系统整体能效。
　　此外，RB558W具备良好的热稳定性和较高的浪涌电流耐受能力，可承受高达30A的非重复浪涌电流（基于8.3ms单半正弦波测试条件），这使其在面对输入电压瞬变或启动冲击时仍能保持可靠运行。器件的工作结温范围为-55°C至+125°C，适应严苛的环境温度变化，适用于多种工业与消费类应用场景。
　　SOD-123FL封装是RB558W的重要物理特征之一，该封装体积小巧（典型尺寸约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），非常适合高密度PCB布局，支持自动化贴片生产流程，并具备优良的散热性能。同时，该器件符合RoHS指令要求，不含铅、汞、镉等有害物质，满足现代电子产品对环保法规的严格要求。其反向漏电流在常温下不超过0.5mA（40V偏置），虽然略高于部分低漏电二极管，但在大多数中低压应用中仍处于可接受范围内。
　　RB558W还展现出较强的抗静电能力与长期稳定性，经过严格的可靠性验证，包括高温反偏（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环测试，确保在长时间运行中的性能一致性。这些综合特性使得RB558W不仅适用于常规整流任务，还能胜任同步整流辅助、极性反接保护、续流二极管等多种功能角色。

RB558W广泛应用于各类需要高效、快速整流的电子电路中，常见于便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和移动电源中的DC-DC转换器部分，用作输出整流或防倒灌二极管。在开关电源（SMPS）设计中，它常被用于次级侧整流，特别是在低压大电流输出场合，凭借其低正向压降有效减少发热，提升转换效率。此外，该器件也适用于LED驱动电源、USB供电模块、电池充电管理电路以及嵌入式控制系统中的电源轨隔离与保护。
　　在通信设备领域，RB558W可用于信号路径中的钳位与保护，防止瞬态电压损坏敏感元件；在工业控制板卡中，它常作为继电器或电感负载的续流二极管，抑制关断时产生的反电动势。由于其小型化封装，特别适合空间受限的设计，例如穿戴设备、物联网终端和微型传感器节点。汽车电子中的一些非动力系统，如车载信息娱乐系统、仪表盘电源模块等，也可采用RB558W进行电源整流与保护，前提是工作温度在其额定范围内。
　　此外，RB558W还可用于太阳能充电控制器、无线充电接收模块以及各类适配器电源中，作为高效的整流元件。其快速响应特性也使其适用于高频脉冲整流场景，如ZVS/ZCS软开关拓扑中的辅助整流路径。总体而言，RB558W凭借其优异的电气性能与紧凑的封装形式，已成为现代低电压、高效率电源设计中不可或缺的关键元器件之一。

RB558WM
　　SS14
　　1N5819W
　　MBR140
　　BAT54C