时间：2025/7/23 2:12:32
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STD18N65M5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的MDmesh M5技术，专为高效率电源转换系统设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：18A
最大漏源电压：650V
导通电阻（Rds(on)）：0.19Ω @ Vgs=10V
栅极电荷：26nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220、D2PAK等
STD18N65M5采用先进的MDmesh M5技术，显著降低了导通电阻和开关损耗，提高了器件的整体效率。其低栅极电荷特性使得在高频开关应用中表现出色，适合用于需要高效率和高可靠性的电源设计。
此外，该MOSFET具有高雪崩耐受能力，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。器件的热性能优化设计确保在高负载条件下也能维持较低的工作温度，从而延长使用寿命。
该器件还具备良好的短路耐受能力，增强了在突发故障情况下的系统稳定性。适用于各类工业电源、DC-DC转换器、电机驱动以及LED照明电源系统。
STD18N65M5广泛应用于各种高效率电源系统，包括AC-DC电源适配器、工业电源、服务器电源、太阳能逆变器、电池充电器、DC-DC转换器以及电机控制电路等。其优异的性能也使其适用于LED照明电源、家用电器和工业自动化设备。
STF18N65M5、STP18N65M5、IPW65R019CFD、SiHPx18N65CFD
