最大重复峰值反向电压：30V
　　最大平均整流电流：100mA
　　正向压降（@100mA）：最大0.33V
　　反向漏电流（@30V）：最大100nA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-523

RB551V-30-R1是一款高性能肖特基二极管，其核心优势在于其低正向压降和快速开关响应。该器件的正向压降在100mA电流下最大仅为0.33V，相比传统二极管显著降低了功耗，提高了能效，非常适合用于低电压、高效率的电路设计。
　　此外，RB551V-30-R1具有良好的反向漏电流控制能力，在30V反向电压下漏电流最大仅为100nA，确保了在高温和高电压环境下的稳定性和可靠性。这种特性使其在高温工作环境下仍能保持良好的性能表现。
　　该器件采用SOD-523封装，是一种小型表面贴装封装，适合自动化贴片生产，提升了生产效率并节省PCB空间。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）也使其适用于各种严苛的环境条件，包括工业控制、车载电子和便携式设备等。
　　RB551V-30-R1还具备良好的抗静电能力和可靠性，在设计中可有效防止因静电放电（ESD）引起的损坏。这种特性在通信接口保护、数据线隔离和电源切换电路中尤为关键。

RB551V-30-R1适用于多种电子设备和系统中，常见应用包括：在数字逻辑电路中作为钳位二极管使用，以防止信号过压损坏IC；在电源管理系统中用于电池反接保护和电源切换；在通信设备中用于信号隔离和接口保护；在便携式电子产品中用于降低功耗并提高系统效率；在传感器电路中作为高速开关元件使用；以及在各类低电流整流电路中实现高效能转换。
　　此外，该器件也广泛应用于USB接口保护、HDMI信号线路隔离、LCD背光驱动电路、RF模块中的信号控制等场景。其小尺寸封装也使其成为空间受限设计中的理想选择。

BAV199W, PMEG2010AEJ, RB551V-40