时间：2025/6/19 17:00:48
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CDR31BP560BKZRAT 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块。该器件结合了高效率和耐用性，广泛应用于工业和汽车领域中的功率转换系统。其采用 TO-247 封装形式，适合高电流和高电压的应用场景。此型号的 IGBT 具有低导通损耗、快速开关特性和高可靠性，能够满足严苛的工作环境要求。
CDR31 系列 IGBT 模块在设计上特别注重降低开关损耗与热阻，从而提高整体系统效率并延长使用寿命。
集电极-发射极饱和电压：2.0V
最大集电极电流：600A
最大集电极-发射极断态电压：1700V
栅极-发射极阈值电压：4.5V
总功耗：280W
工作结温范围：-40℃ 至 +150℃
存储温度范围：-55℃ 至 +150℃
CDR31BP560BKZRAT 的主要特性包括：
1. 高电压承受能力，适用于高压工业设备和电力电子应用。
2. 超低导通压降，可显著减少传导损耗。
3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗并提高系统效率。
4. 强大的短路耐受能力，确保在异常条件下仍能正常运行。
5. 优异的热稳定性，能够在高温环境下长期稳定工作。
6. 符合 AEC-Q101 标准，适合汽车级应用。
7. 内置反向恢复二极管，优化电路性能。
这些特点使得该 IGBT 模块非常适合用于变频器、逆变电源、电动汽车驱动系统以及太阳能逆变器等高功率场合。
CDR31BP560BKZRAT 广泛应用于以下领域：
1. 工业自动化设备中的电机驱动与控制。
2. 新能源领域，如风力发电、光伏发电中的逆变器。
3. 汽车行业中的混合动力及纯电动车牵引逆变器。
4. 高端家用电器中的高效变频技术。
5. 不间断电源（UPS）和焊机等对功率密度要求较高的场景。
其出色的性能和可靠性使其成为众多高功率应用的理想选择。
FGH17N65SMD, IRG4PC30KD
