时间：2025/11/8 1:11:41
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RB550VM-30FHTE-17是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的表面贴装型肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode, SBD）。该器件采用小型化封装HMSM (HSMF) -2，适用于空间受限的高密度电子电路设计。作为一款高性能整流二极管，它利用肖特基势垒结构实现低正向电压降和快速开关特性，从而在电源转换、DC-DC变换器、反向电池保护以及信号整流等应用中表现出色。其主要面向便携式消费类电子产品、通信设备、工业控制模块以及汽车电子系统等领域。
该型号中的后缀“-30FHTE-17”表明其为卷带包装（Taping），适合自动化贴片生产流程，并具有符合工业标准的可靠性与环保合规性（如符合AEC-Q101标准的可能性，适用于汽车级应用）。RB550VM-30FHTE-17的设计注重能效提升与热性能优化，在保持小尺寸的同时提供了良好的电流承载能力和稳定的电气性能，是现代高效能、低功耗电子系统中的关键元件之一。
产品类型：肖特基势垒二极管
配置：单路
最大重复反向电压（VRRM）：30 V
最大平均整流电流（IO）：500 mA
峰值正向浪涌电流（IFSM）：8 A
最大正向电压（VF）：450 mV（在IF = 500 mA条件下）
最大反向电流（IR）：100 μA（在VR = 30 V，TA = 25°C）
工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +150 °C
封装/外壳：HMSM (HSMF)-2
安装类型：表面贴装（SMD）
引脚数：2
反向恢复时间（trr）：典型值 < 5 ns
热阻（RθJA）：约 300 °C/W（依PCB布局而定）
RB550VM-30FHTE-17具备优异的电学性能与物理紧凑性，其核心优势在于低正向导通压降（VF），典型值仅为450mV，在500mA负载下显著低于传统PN结二极管，从而大幅降低功率损耗并提高整体系统效率。这一特性使其特别适用于对能效敏感的应用场景，例如电池供电设备或需要长时间运行的低功耗系统。由于采用先进的肖特基金属-半导体结技术，该器件展现出极快的开关响应能力，反向恢复时间（trr）通常小于5ns，几乎无少数载流子存储效应，因此在高频整流和开关电源中可有效减少开关噪声与电磁干扰（EMI），提升电路稳定性。
该二极管具有高达30V的反向耐压能力，足以应对大多数低压直流电源系统的瞬态波动需求，同时支持最高500mA的连续整流电流输出，满足一般信号级与小功率电源路径的使用要求。在极端环境适应性方面，其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保在严苛的工业或车载环境中仍能稳定运行。此外，器件通过了无铅（Pb-free）和RoHS环保认证，符合现代绿色电子制造规范。封装形式HMSM-2采用微型化设计，占用PCB面积极小，有利于实现轻薄化产品布局，并具备良好的散热路径设计，可在有限空间内维持可靠热管理。
RB550VM-30FHTE-17还具备较强的抗浪涌能力，可承受高达8A的峰值正向浪涌电流（非重复），增强了在电源启动或负载突变情况下的鲁棒性。其低漏电流表现（最大100μA@30V）也保证了在关断状态下的低静态功耗，有助于延长电池寿命。总体而言，这款器件结合了高性能、小型化、高可靠性与环保兼容性，广泛适用于现代电子系统对高效、节能与小型化日益增长的需求。
RB550VM-30FHTE-17常用于多种低压直流电路中，作为整流、防反接保护、电压钳位及信号解调的关键组件。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式消费电子产品中的电源管理单元；在DC-DC转换器中用作续流二极管或输出整流元件，以提升转换效率并减小发热；在USB供电接口、充电器模块中提供反向电流阻断功能，防止电池倒灌损坏主控芯片。
此外，该器件也广泛应用于通信基础设施中的信号调理电路、光纤收发模块的电源隔离路径，以及工业传感器、PLC控制器等小型嵌入式系统的电源保护回路。由于其具备较高的温度耐受性和潜在的汽车级可靠性认证（如AEC-Q101），该型号也可用于车载信息娱乐系统、ADAS辅助模块、车身控制模块等汽车电子领域，执行电源轨切换与瞬态抑制任务。在物联网（IoT）节点设备中，因其低功耗特性，被用于延长电池续航时间。同时，还可作为高速逻辑电路中的钳位二极管，抑制电压过冲，保障敏感器件安全运行。
RB550V-30FHTF
