时间：2025/12/25 13:56:10
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RB550VAM-30是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的表面贴装型肖特基势垒二极管（SBD），采用双二极管结构，封装形式为D-Mini（也称为DF2B或SOD-123FL）。该器件专为高效率、小尺寸电源应用设计，广泛用于便携式电子设备、消费类电子产品以及各类DC-DC转换电路中。RB550VAM-30具有低正向电压降和快速开关特性，能够有效降低功耗并提升系统整体能效。其反向耐压为30V，适合在低压大电流的同步整流或防倒灌电路中使用。该二极管符合AEC-Q101车规级可靠性标准，因此也可应用于汽车电子系统中的辅助电源模块。此外，产品符合RoHS环保要求，不含铅和有害物质，适用于无铅焊接工艺。
RB550VAM-30的引脚配置为共阴极（Common Cathode）结构，即两个阳极独立、共享一个阴极，这种结构常用于双路输出整流或双通道续流保护。由于其小型化封装和优异的热性能，可以在有限空间内实现高效散热，适合高密度PCB布局设计。ROHM在其产品说明书中提供了详细的热阻参数和功率降额曲线，便于工程师进行热管理设计。
类型：双肖特基二极管
极性：共阴极（Common Cathode）
最大重复反向电压（VRRM）：30V
最大平均正向整流电流（IF(AV)）：500mA（每芯片）
峰值正向浪涌电流（IFSM）：2A（8.3ms半正弦波）
最大正向电压（VF）：490mV（@ IF=50mA, TA=25°C）
最大反向电流（IR）：100μA（@ VR=30V, TA=25°C）
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
热阻（Rth(j-a)）：典型值 250°C/W（依PCB布局而定）
封装：D-Mini（SOD-123FL）
安装方式：表面贴装（SMD）
RB550VAM-30具备优异的电气性能与可靠性，其核心优势在于低正向导通压降和快速开关响应能力。在典型工作条件下（IF = 50mA，TA = 25°C），其最大正向电压仅为490mV，显著低于传统PN结二极管，从而大幅减少了导通损耗，提高了电源转换效率。这一特性使其非常适合用于电池供电设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等对能效敏感的应用场景。同时，由于肖特基二极管本身属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此反向恢复时间极短（通常小于10ns），几乎无反向恢复电荷（Qrr），避免了因反向恢复引起的开关尖峰和电磁干扰问题，提升了系统的稳定性和EMI表现。
该器件采用共阴极双二极管结构，允许在同一封装内集成两个独立的肖特基单元，适用于双路DC-DC变换器的续流或输出整流功能，节省PCB面积并简化布线复杂度。其D-Mini封装尺寸紧凑（约2.0mm × 1.25mm × 1.1mm），支持自动化贴片生产，且具有良好的热传导性能，可通过优化焊盘设计进一步降低热阻，延长器件寿命。RB550VAM-30通过AEC-Q101认证，表明其在高温、高湿、机械振动和温度循环等严苛环境下仍能保持长期稳定性，因此不仅可用于工业和消费类电子，还可用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动、车载充电模块等汽车电子领域。此外，产品符合国际环保标准，不含铅、镉等有害物质，支持无卤素制造工艺，满足现代绿色电子产品的发展需求。
RB550VAM-30主要应用于需要高效率、小体积和高可靠性的低压电源系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品的DC-DC转换器，例如手机、智能手表、无线耳机中的降压或升压拓扑结构，作为续流二极管或输出整流元件，利用其低VF特性减少能量损失，延长电池续航时间。在USB供电设备、移动电源及充电管理模块中，该器件可用于防止电流倒灌，保护电源路径安全。此外，在多路输出的开关电源设计中，共阴极双二极管结构可分别处理两路独立的整流任务，简化电路设计并提高集成度。
由于其通过AEC-Q101认证，RB550VAM-30也被广泛用于汽车电子系统，如车载导航仪、行车记录仪、仪表盘显示模块和车身控制单元中的辅助电源部分。在这些应用中，器件需承受较大的温度波动和电气噪声，而RB550VAM-30的宽工作温度范围（-55°C至+150°C）和稳定的反向漏电流特性确保了在极端环境下的正常运行。此外，该二极管还适用于工业传感器、IoT节点设备、智能家居控制器等低功耗嵌入式系统，作为防反接或电源切换的保护元件。在LED驱动电路中，它可用作防止反向电压损坏LED的保护二极管。总之，RB550VAM-30凭借其小型化、高效能和高可靠性，成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。
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"RB551VAM-30",
"RB571S-40",
"RB751V-40",
"SS12",
"SK12",
"DSK12"
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