时间：2025/9/14 13:05:47
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BUK7E5R2-100E,127 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench肖特基（TrenchSchottky）技术，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用。BUK7E5R2-100E 采用标准的 TO-223 封装，具备良好的散热能力和机械稳定性，适合在工业、汽车电子、电源转换器、DC-DC 转换器以及负载开关等应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：5.8 A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：5.2 mΩ（最大值，典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-223
功率耗散（PD）：60 W
BUK7E5R2-100E,127 的核心优势在于其超低的导通电阻，这使得器件在导通状态下的功率损耗极低，从而提高了整体系统的效率并减少了散热需求。其先进的 Trench Schottky 工艺不仅降低了 RDS(on)，还优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗。
此外，该 MOSFET 具有较高的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于高温环境下的应用。其 ±20 V 的栅极电压耐受能力提供了更大的驱动灵活性，可兼容多种控制电路和驱动器。
TO-223 封装形式不仅具备良好的热传导性能，还提供了紧凑的安装尺寸，适用于空间受限的设计。该器件还具有较强的抗过载和短路能力，能够在突发情况下保持稳定运行，提高了系统的可靠性。
在汽车电子应用中，BUK7E5R2-100E 符合 AEC-Q101 汽车级认证标准，确保其在严苛的车载环境中具有出色的性能和耐久性。
BUK7E5R2-100E,127 广泛应用于多个领域，包括但不限于：工业自动化控制系统的电源模块、汽车电子中的 DC-DC 转换器和电机控制电路、LED 照明驱动电源、通信设备中的负载开关、电池管理系统（BMS）以及智能电表等能源管理设备。
由于其高效的导通性能和良好的热管理能力，该器件特别适合用于需要高效率、低功耗设计的电源转换系统，如同步整流器、多相电源和负载开关控制等场景。
在汽车应用中，该 MOSFET 常被用于车载充电器（OBC）、车身控制模块（BCM）、电动助力转向系统（EPS）以及其他需要高可靠性的车载电子系统中。
IPD90N10N3 G, STN7NF10, FDP6N90TN, FQP10N10L
