型号：RB530CM-60T2R
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装类型：SOD-123W
　　极性：单个肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　平均整流电流（IO）：500mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：8A
　　最大正向压降（VF）：520mV @ 200mA, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：200μA @ 60V, 25°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值4ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C

RB530CM-60T2R的核心优势在于其优异的开关特性和低导通损耗表现。该器件采用肖特基势垒结构，利用金属-半导体接触形成势垒，从而实现比传统PN结二极管更低的正向压降（VF）。在200mA电流下，其最大正向压降仅为520mV，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的转换效率。这一特性使其特别适用于电池供电设备或对能效要求较高的应用场景，如移动电源、可穿戴设备和低功耗嵌入式系统。
　　另一个关键特性是其极短的反向恢复时间（trr），典型值仅为4纳秒。由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，几乎不存在少数载流子的存储效应，因此在从导通状态切换到截止状态时几乎没有反向恢复电荷（Qrr），从而大幅减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这对于高频开关电源（如同步整流DC-DC变换器、开关模式电源SMPS）至关重要，有助于提升开关频率上限并减小外围滤波元件的体积。
　　RB530CM-60T2R还具备出色的热性能和长期稳定性。其SOD-123W封装虽然体积小巧，但经过优化设计，具有良好的散热能力，能够在高温环境下可靠运行。器件支持高达+150°C的最大结温，确保在恶劣工况下仍能维持正常功能。同时，其反向漏电流在高温条件下控制得当，在60V反向电压和25°C时最大为200μA，尽管随着温度升高会有所增加，但在同类产品中仍处于较好水平。
　　此外，该二极管符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级可靠性测试的部分项目，表明其具备一定的汽车电子应用潜力。其卷带包装（T2R）形式便于自动贴片机取用，适合大规模SMT生产工艺，提高了生产效率和装配一致性。综合来看，RB530CM-60T2R是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的高性能肖特基二极管，适用于多种中低压、中等电流的整流与续流场景。

RB530CM-60T2R广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子电路中。常见用途包括作为DC-DC转换器中的续流二极管或整流元件，特别是在降压（Buck）、升压（Boost）及反激式拓扑结构中发挥关键作用。由于其低正向压降和快速恢复特性，能够显著减少能量损耗，提高电源转换效率，因此被大量用于便携式设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等内部的电源管理系统。
　　在AC-DC适配器和小型开关电源（SMPS）中，RB530CM-60T2R可用于次级侧整流环节，替代传统的快恢复二极管以降低发热并提升效率。此外，它也可用于防止反向电流的防倒灌电路、电池充放电保护模块以及负载切换电路中，起到隔离和保护的作用。
　　在通信设备和工业控制系统中，该器件常用于信号路径中的钳位和瞬态抑制，帮助稳定电压电平并防止过冲损坏敏感元件。由于其具备一定的耐温能力和可靠性，也可用于车载电子系统中的辅助电源模块，例如仪表盘显示驱动、车载导航系统或车身控制单元中的低功率电源部分。
　　除此之外，RB530CM-60T2R的小型化封装使其非常适合高密度PCB布局，尤其适用于空间受限的设计，如微型传感器模块、物联网终端设备和智能家居控制器。总之，只要涉及中低电压（≤60V）、中等电流（≤500mA）且对效率和响应速度有要求的应用，RB530CM-60T2R都是一个理想的选择。

RB520SM-40T2R
　　RB530S-60T2R
　　SS14
　　BAT54C
　　MBR0540