容量：4Mbit
　　组织方式：256K x 16
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：55ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　数据保持电压：1.0V（最小）
　　待机电流：10mA（典型值）
　　读取电流：180mA（典型值）

MB621447是一款高性能的异步SRAM芯片，具有较高的存储密度和快速的访问速度。其4Mbit的存储容量适合需要大量快速存储的应用，例如嵌入式系统的高速缓存或临时数据存储。该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），使其能够在多种电源条件下稳定运行，并且具备低待机电流特性，有助于降低整体功耗。
　　此外，MB621447的高速访问时间为55ns，能够满足对响应时间有严格要求的应用场景。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境，确保在各种条件下都能可靠运行。该芯片采用TSOP封装，具有54个引脚，便于集成到紧凑型设计中。
　　MB621447还具有良好的数据保持能力，在低至1.0V的电压下仍能保持存储数据，这对于需要在电源故障或低电量情况下保留关键数据的应用非常有用。同时，其读取电流仅为180mA（典型值），进一步提高了能效。

MB621447 SRAM芯片适用于多种高性能嵌入式系统和工业应用。常见的应用场景包括高速缓存存储器、网络交换设备、工业控制系统的临时数据存储、测试设备以及需要快速数据访问的通信模块。由于其低功耗和宽电压范围，该芯片也适合用于便携式设备或需要在恶劣环境下运行的系统。

MB621447P、CY62148VLL、IS61LV25616-55BLL、IDT71V416S