时间：2025/4/28 20:10:13
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RB521ZS-30T2R是一种高精度、低功耗的双路N沟道MOSFET功率晶体管，采用小型化封装设计。该器件主要应用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景，例如负载开关、DC-DC转换器以及电机驱动等电路中。
该芯片通过优化的制造工艺实现了较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，同时保持了良好的热性能。其封装形式为SOT-23-3L，适用于空间受限的设计。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：2.1A
导通电阻(Rds(on))：90mΩ (在Vgs=4.5V时)
栅极电荷(Qg)：7nC
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-23-3L
RB521ZS-30T2R具有以下主要特性：
1. 超低导通电阻以减少功率损耗。
2. 快速开关速度，降低开关损耗。
3. 高可靠性与长寿命设计。
4. 小型化封装适合便携式设备应用。
5. 较宽的工作温度范围适应多种环境需求。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
RB521ZS-30T2R广泛用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的负载开关。
2. 移动设备及可穿戴设备中的电源管理。
3. DC-DC转换器和POL稳压模块。
4. 小功率电机驱动控制。
5. LED驱动电路。
6. 各种工业自动化控制电路中的信号切换功能。
RB521ZS-30T2G, RB520ZS-30T2R
