NP60N03KUG 时间：2025/6/16 22:15:46 阅读：16

NP60N03KUG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于需要高效开关和低导通电阻的电路。该器件采用先进的制造工艺设计，具备出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各种功率转换、负载开关和电机驱动等场景。
　　其封装形式为 DPAK（TO-252），能够提供良好的散热性能和坚固耐用的机械特性。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：17A
　　导通电阻：1.9mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷：45nC（典型值）
　　反向恢复时间：40ns（典型值）
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

NP60N03KUG 具有低导通电阻和高电流处理能力，非常适合要求高效能和低损耗的应用场景。该器件在高频操作下表现出优异的动态性能，主要特点包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低功耗。
　　2. 快速的开关速度，减少开关雪崩击穿能量能力，确保在异常条件下也能安全运行。
　　4. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
　　5. 提供稳定的电气特性和长期可靠性，适用于严苛的工作环境。

应用

NP60N03KUG 的典型应用领域包括但不限于以下方面：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
　　3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
　　4. LED 照明系统的恒流控制。
　　5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
　　由于其卓越的性能和广泛的适应性，NP60N03KUG 成为许多高性能功率应用的理想选择。