类型：肖特基势垒二极管
　　配置：双通道共阴极
　　最大重复峰值反向电压：30V
　　最大平均整流电流：100mA
　　正向电压（IF=100mA）：0.38V（最大）
　　反向漏电流：10μA（最大）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：DFN1010

RB521G-30 F 肖特基二极管具有多项优良的电气和物理特性，使其在多种应用中表现出色。首先，其低正向电压降（VF）在100mA工作电流下可低至0.38V，显著降低了功率损耗，提高了能源转换效率。这种特性在电池供电设备和节能型电源系统中尤为重要。
　　其次，RB521G-30 F 采用双通道共阴极结构，两个独立的二极管共享一个公共阴极端子，适用于需要多个二极管集成的电路设计，有助于减少PCB空间占用和简化布线。
　　该器件还具备快速开关能力，由于肖特基二极管的结构特性，其反向恢复时间几乎为零，非常适合用于高频整流和高速开关电路。这种快速响应能力有助于减少开关损耗并提升整体系统性能。
　　此外，RB521G-30 F 采用DFN1010小型封装，尺寸仅为1.0mm x 1.0mm x 0.5mm，适合高密度PCB布局，并支持自动化贴片工艺。这种封装还具备良好的热性能，有助于在高负载条件下维持稳定运行。
　　该器件的工作温度范围宽广，从-55℃到+150℃，适应各种工业环境，确保在极端温度条件下的可靠运行。同时，其最大反向漏电流仅为10μA，表明在高反向电压下仍能保持良好的阻断能力，确保电路稳定性。

RB521G-30 F 主要应用于需要低功耗、高频特性和小型封装的电子设备中。常见应用包括电源管理系统、DC/DC转换器、电池充电电路、负载开关、信号整流电路以及便携式电子产品中的电源管理模块。
　　在移动设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，RB521G-30 F 可用于保护电路中的反向电流流动或作为高效能整流元件，提升整体能源利用效率。在嵌入式系统和物联网（IoT）设备中，该器件也可用于电压检测、信号切换和电源隔离等场景。
　　此外，RB521G-30 F 还可用于工业自动化设备、传感器模块和低功耗微控制器系统的电源管理部分，其小型封装和高性能特性使其成为高密度电路设计中的理想选择。

RB521S-30, RB751V-40, BAS40-04, BAT54C