2N7002KT 是一种 N 沀道晶体管 (NMOS FET),属于小型信号 MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。该器件具有低漏电流、快速开关特性和较高的增益等优点,适用于放大和开关应用。
2N7002KT 属于 Vishay Siliconix 公司生产的一系列增强型 NMOS 场效应晶体管,其封装形式为 TO-92 或 SOT-23,具体视版本而定。此型号中的 'KT' 表示特定筛选标准的工业级版本,通常具备更严格的参数容差和可靠性。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:200mA
脉冲漏极电流:1A
输入电容:45pF
导通电阻(Rds(on)):2.8Ω
功耗:400mW
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
2N7002KT 是一款高性能的增强型 NMOS 场效应晶体管,主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高效率下运行,减少功率损耗。
2. 高速开关能力,支持高频操作,适合数字和模拟应用。
3. 栅极静态电流非常小,从而减少了整体功耗。
4. 工作温度范围宽,使其在极端环境下仍能保持稳定性能。
5. 封装小巧,易于集成到紧凑型设计中。
这些特性使它非常适合用于负载开关、电源管理、信号调节和其他需要低导通损耗的应用场景。
2N7002KT 可用于多种应用领域,包括但不限于:
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的开关元件。
2. 电池保护电路,用于过流或短路保护。
3. 信号调理电路,例如音频和视频设备中的信号缓冲。
4. 负载开关,在便携式设备中实现电源管理和省电功能。
5. 数字逻辑电路中的开关元件,用于驱动继电器、LED 等低功率负载。
6. 各种工业控制应用,如电机驱动、传感器接口等。
由于其出色的电气特性和可靠性,这款 NMOS 晶体管在消费类电子产品、通信设备以及工业自动化等领域得到了广泛应用。
2N7000, BSS138, BS170