时间：2023/5/24 14:05:09
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RB520S30T1G技术参数
反向重复峰值电压VRRM(max)(V)：0.200
平均整流器前向电流IO(max)(A)：30
瞬间前向电压VF(max)@IF(V)：0.600
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A)：25
瞬间反转电流IR(max)(mA)：0.001
封装/温度(℃)：DO41/-65~125
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
