类型：肖特基势垒二极管
　　配置：双共阴极
　　最大重复峰值反向电压：30V
　　最大正向电流：200mA（每个元件）
　　正向电压（最大值）：0.35V @ 100mA
　　反向漏电流（最大值）：100nA @ 25°C
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TSM
　　安装类型：表面贴装

RB520G30-G 具有多个显著特性，使其适用于高效率和高频应用。其双共阴极配置允许在多种电路拓扑中使用，例如整流和隔离电路。由于采用了肖特基势垒结构，该器件具有快速的开关性能，从而减少了开关损耗，并提高了系统效率。此外，该器件的正向电压降较低，可降低功率损耗，提高能源利用率。
　　该器件的封装设计紧凑，适合空间受限的应用，如便携式电子设备和小型电源模块。其表面贴装封装也简化了PCB组装过程，提高了制造效率。RB520G30-G 的工作温度范围较宽，可以在恶劣环境中稳定工作，适用于工业和汽车电子系统。
　　该器件的反向漏电流较低，在高温环境下仍能保持良好的性能，减少了因漏电流引起的功耗。这使得该器件适用于需要长期稳定运行的系统。RB520G30-G 还具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下维持稳定的工作状态。

RB520G30-G 常用于多种电子设备和系统中，如电源管理系统、DC/DC 转换器、电池供电设备和便携式电子产品。由于其快速开关性能和低正向电压降，该器件也适用于高频整流和反向保护电路。
　　在工业自动化和控制系统中，该器件用于优化电源转换效率，并提高系统的整体稳定性。此外，RB520G30-G 也可用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和电池管理系统。其宽工作温度范围和高可靠性使其成为严苛环境下的理想选择。
　　该器件还可用于通信设备、LED 驱动电路和传感器系统，以提高能效和减少发热。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，RB520G30-G 被用于优化电池管理，并延长设备的使用时间。

RB521G30-A / RB521V30-25/RB521S30