您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RB496KATR

RB496KATR 发布时间 时间:2025/12/25 13:36:00 查看 阅读:19

RB496KATR是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用小型化封装SOD-123W,适用于高密度、便携式电子设备中的电源管理和信号整流应用。该器件基于先进的芯片制造工艺,具有低正向导通压降和快速开关特性,能够在高频工作条件下保持较高的转换效率。RB496KATR的额定平均正向整流电流为500mA(IF(AV)),最大反向重复峰值电压为30V(VRRM),使其非常适合于低压直流电路中的续流、防反接以及AC-DC或DC-DC转换器中的输出整流功能。其封装形式具备良好的散热性能与机械稳定性,符合工业级可靠性标准,并通过AEC-Q101车规认证,表明其在汽车电子系统中也具备广泛适用性。此外,该产品无铅且符合RoHS环保要求,支持回流焊工艺,适合自动化贴片生产流程。由于其优异的电气特性和紧凑尺寸,RB496KATR被广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、USB供电模块、电池管理系统及各类消费类电子产品中。

参数

型号:RB496KATR
  制造商:ROHM Semiconductor
  器件类型:肖特基势垒二极管
  封装/包:SOD-123W
  安装类型:表面贴装(SMT)
  最大重复反向电压(VRRM):30V
  平均整流电流(IF(AV)):500mA
  正向压降(VF):最大850mV @ IF=500mA, TA=25°C
  反向漏电流(IR):最大1μA @ VR=30V, TA=25°C
  浪涌电流(IFSM):12A (8.3ms单半正弦波)
  结温(Tj):-55°C 至 +150°C
  储存温度(Tstg):-55°C 至 +150°C
  热阻(Junction-to-Ambient, RθJA):约250°C/W
  极性:阴极条标记端为负极
  引脚数:2

特性

RB496KATR的核心优势在于其采用高性能肖特基势垒结构,实现了极低的正向导通压降,在典型工作条件下(IF = 500mA),正向压降仅为850mV左右,显著低于传统PN结二极管,从而大幅降低功率损耗,提升整体系统能效。这一特性对于电池供电设备尤为重要,有助于延长续航时间并减少发热问题。同时,该器件具备非常快的反向恢复时间(trr < 10ns),几乎不存在少数载流子存储效应,因此在高频开关电源中能够有效抑制反向恢复引起的尖峰电流和电磁干扰(EMI),提高电路稳定性和动态响应能力。其SOD-123W小型封装不仅节省PCB空间,还优化了热传导路径,使器件能在有限空间内可靠运行。RB496KATR具有优良的温度稳定性,即使在高温环境(如+125°C)下,反向漏电流仍能控制在较低水平(通常小于10μA),确保长期工作的可靠性。该产品通过AEC-Q101认证,意味着它已经过严格的应力测试,包括高温反偏、温度循环、湿度敏感度等级评估等,适用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动、DC-DC变换器等严苛工况场景。此外,器件的制造过程遵循绿色环保规范,使用无卤素材料和无铅焊接技术,满足现代电子产品的环保合规需求。ROHM提供的高质量晶圆工艺和严格的质量管控体系进一步保障了产品的一致性和长期供货能力,使其成为工业、消费和汽车领域中小电流整流应用的理想选择。
  值得一提的是,RB496KATR的设计充分考虑了实际应用中的鲁棒性。例如,其具备较强的浪涌电流承受能力(IFSM达12A),可在瞬态负载或启动过程中抵御短时过电流冲击,防止器件损坏。这种设计增强了系统的抗扰动能力,尤其适合存在频繁启停或电压波动的应用场合。另外,该二极管的反向击穿特性较为平缓,未出现明显的雪崩击穿行为,建议在使用时避免超出最大反向电压限制,以确保安全运行。总体而言,RB496KATR凭借其高效、紧凑、可靠的综合性能,在现代电子系统中扮演着关键角色,尤其是在追求小型化与高效率并重的产品设计中表现出色。

应用

RB496KATR广泛应用于多种需要高效、小型化整流元件的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机中的电源管理单元,用于电池充放电路径的隔离与保护,防止反向电流造成损害。在USB Type-C和PD快充模块中,该器件可用于VBUS线路的隔离与防倒灌设计,确保多电源切换时的安全性。在各类DC-DC转换器(尤其是降压型Buck电路)中,RB496KATR常作为续流二极管(Flyback Diode)使用,利用其快速开关和低VF特性来提高转换效率并减少热量积聚。此外,它也被用于AC-DC适配器的次级侧整流环节,特别是在低输出电压(如5V或3.3V)系统中,相较于传统整流二极管能显著降低导通损耗。在汽车电子领域,该器件适用于车身控制模块、车载充电器、LED车灯驱动电路等非高压部分,得益于其通过AEC-Q101认证,可在-40°C至+125°C的宽温范围内稳定工作。工业控制系统中的传感器接口、信号调理电路以及继电器驱动回路也常采用RB496KATR进行钳位和保护。由于其SOD-123W封装支持高速自动贴片,非常适合大规模自动化生产,因此在智能家居设备、物联网终端、无线路由器等批量制造产品中也有广泛应用。

替代型号

RB496KA

RB496KATR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RB496KATR产品

RB496KATR参数

  • 特色产品Fast Recovery Diodes
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)430mV @ 1A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电800µA @ 10V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)1A
  • 电压 - (Vr)(最大)20V
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型肖特基
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置2 个独立式
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-SMD(5引线),扁引线
  • 供应商设备封装TUMD5
  • 包装带卷 (TR)