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DS1235Y-120 发布时间 时间:2025/5/7 12:13:12 查看 阅读:7

DS1235Y-120 是 Maxim Integrated 生产的一款非易失性 SRAM(静态随机存取存储器),具有独特的电池支持功能。这款芯片能够确保数据在断电情况下仍然保持完整,同时支持高速读写操作和低功耗特性。DS1235Y-120 主要应用于需要高可靠性、实时数据保存的场合,例如工业控制、医疗设备以及通信系统等。
  该芯片采用 DIP(双列直插式封装)形式,内部包含 32Kb 的存储容量,分为 4096 字节×8 位结构。通过内置的锂离子电池,可以在外部电源中断时继续维持数据存储。

参数

存储容量:32Kb
  工作电压:4.5V 至 5.5V
  数据保留时间:10 年(典型值)
  封装类型:DIP-28
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  访问时间:70ns(最大值)
  待机电流:2μA(最大值)

特性

DS1235Y-120 提供了极高的数据可靠性和快速的读写速度。其关键特性包括:
  1. 内置电池支持的数据保护机制,确保在主电源失效后仍能安全保存信息。
  2. 高速访问时间(70ns 最大值),适用于实时处理任务。
  3. 极低的待机电流(2μA 最大值),有助于延长电池寿命。
  4. 宽工作电压范围(4.5V 至 5.5V),适应多种供电环境。
  5. 耐用性强,能够在恶劣环境下运行(如极端温度范围)。
  6. 数据可保存长达 10 年,非常适合长期存储应用。
  此外,DS1235Y-120 具备硬件写保护功能,可以防止意外或未经授权的数据修改。

应用

DS1235Y-120 广泛应用于需要高可靠性、即时数据保存的场景,包括但不限于:
  1. 工业自动化系统中的参数记录与配置保存。
  2. 医疗设备中的患者数据日志及状态跟踪。
  3. 通信网络中的路由表存储与恢复。
  4. POS 系统中的交易数据缓存。
  5. 计量仪表中的测量数据记录。
  6. 嵌入式系统中的临时数据缓冲区,防止因掉电导致数据丢失。
  由于其出色的性能和可靠性,DS1235Y-120 成为许多关键任务应用的理想选择。

替代型号

DS1235Y-100, DS1235Y-150

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